液气双态mini/micro led芯片巨量转移用晶膜及制作方法
技术领域
1.本发明涉及一种微发光二极管巨量转移技术，尤其涉及一种液气双态mini/micro led 芯片巨量转移用晶膜及制作方法。
背景技术：2.视觉是人类获取信息的主要渠道，研究表明各种感觉器官获取的信息中，视觉占 60％，听觉占20％，触觉占15％，味觉占3％，嗅觉占2％，其中近2/3的有效信息都是通过显示技术高效高质量地传递。电子显示屏的诞生，改变了承载和传递视觉信息的方式，支撑现代信息社会的发展。从简单的交通信号灯、数码管显示到复杂的图像、电视放送，再到虚拟现实(virtual reality，vr)、增强现实(augmented reality，ar)，显示渗透到社会生产和人民生活的各个方面。高解析度、高亮度、高对比度、无拼接缝隙及快响应的显示屏是未来信息化、智能化信息传递的关键枢纽，在生活中充当着不可或缺的角色。
3.电子显示屏经历了阴极射线管显示屏(cathode ray tube，crt)、液晶显示屏(liquid crystal display，lcd)、有机发光二极管屏(organic led，oled)、 mini/micro led屏，目前仍在不断地进步革新。crt显示器因体积大、功耗高，难以满足显示需求，逐渐退出市场。lcd因成本低、分辨率较高、对比度较高和寿命较长的优势，成为目前主流的显示屏。相较于lcd，oled显示屏能够自发光，提高了响应速度，降低了显示屏的厚度，但受材料特性影响，随时间的增长，发光效率降低、寿命变短，甚至会出现“烧屏”现象，严重影响oled显示屏的性能。mini/micro led通过减小芯片尺寸和芯片间距，实现远超人眼分辨极限的更高像素密度，在对比度、响应速度、功耗、发光效率、稳定性等方面具有lcd、oled无可比拟的优势，可广泛应用于小尺寸穿戴、vr/ar、手机、平板和tv等各显示领域，是下一代主流显示技术的发展方向。大力发展mini/micro led显示技术有望解决显示行业的严峻形势，实现我国在显示领域的弯道超车。
4.mini/micro led显示面板生产的工艺流程链长且复杂，主要包括芯片制备、芯片转移和缺陷检测与修复，其中巨量转移环节是工艺流程链的关键步骤。如何快速且精准将微米级芯片转移到目标位置成为整个制程的技术瓶颈，是mini/micro led显示屏规模化量产的重要保障。目前业内的巨量转移方案主要有弹性印模微转印技术、流体自组装技术、滚轴转印技术、激光选择性释放技术等。弹性印模微转印技术利用弹性印章与芯片间的粘附力从源基板上拾取芯片，通过降低消除两者间的粘附力，使芯片脱落至目标基板上，实现led芯片巨量转移。该方案的转移速度约为18kk/h，良品率可达99.99％，但需要精准控制各个阶段粘附力大小，且印模必须表面度极为平坦，才不影响转移的良率和精度。流体自组装技术先将芯片分散在流体内，通过控制流体的流动，利用流体的流力和重力作用，将mini/micro led芯片颗粒捕获至目标基板的对应井中，完成芯片转移，其转移速度约为50kk/h。由于转移过程中需要对目标基板进行处理，技术难度较高，且无法保证mini/micro led芯片与对应井之间的电气连接，可能导致芯片损毁，无法保证良品率。滚轴转印技术需要将芯片转移到滚轴上，利用滚轴旋转，将mini/micro led转印到目标基板。该方法生产步骤少，
生产速度更高，可实现高速率大批量转移，但不能选择性转移mini/micro led，精度和可靠性也难以保证。激光选择性释放技术跳过拾取和释放的环节，直接从源基板或中间基板上将mini/micro led芯片剥离释放至目标基板上，使转移速度提升至100kk/h，良品率提升99.999％，具备批量转移与单点修复能力，但设备成本较高。
5.激光选择性释放技术是最具有潜力的巨量转移方案，其核心关键部件是led芯片转移晶膜。根据激光照射转移晶膜时作用机理，可将激光选择性释放技术分为热释放和烧蚀释放。前者利用转移晶膜吸收激光能量发生化学反应，降低转移晶膜与芯片间的粘附力，借助芯片自重脱落至目标基板上，但当芯片尺寸过小时，转移晶膜与芯片间范德华力、静电力等与重力相等，无法实现转移。后者采用激光烧蚀牺牲层产生爆炸气体产生冲击力，实现芯片释放转移，但爆炸过程中芯片下落姿态不易控，良品率不高，且爆炸气体易污染工作环境。
6.中国专利202011069063.4所述的转移膜及其应用，在基材两侧设置亚克力胶层和减粘胶层，常态下将led芯片牢牢吸附在减粘胶层，经减粘处理后降低led芯片与减粘胶层的粘结力，实现50μm以下的mini/micro led芯片巨量转移。但减粘胶层在受热分解时不均匀造成粘结力不均匀，芯片在释放过程中受力不均，芯片姿态不易控制，降低了芯片转移效果。
7.中国专利zl202010828204.x所述的led芯片转移方法和光源板，在透明基板上贴合一层剥离层，剥离层上覆盖一层粘结层，利用激光透过透明基板照射剥离层，使剥离物质发生烧蚀，驱使透明基板脱离粘结层，实现led芯片转移。但剥离层烧蚀过程控制难度大，易造成芯片掉落不均匀，位置不精确，污染工作环境等缺陷，且晶膜不能重复使用，晶膜材料浪费严重。
8.有鉴于此，特提出本发明。
技术实现要素：9.本发明的目的是提供了一种接近日常温度，变形量可控，且可重复使用的液气双态 mini/micro led芯片巨量转移用晶膜及制作方法，以解决现有技术中存在的上述技术问题。可用于mini/micro led芯片快速、准确、无损伤和无污染转移至目标基板，大幅提升 led芯片转移效率和转移良品率。
10.本发明的目的是通过以下技术方案实现的：
11.本发明的液气双态mini/micro led芯片巨量转移用晶膜，包括衬底、介质存储网格、液气双态介质、密封胶、弹力层和粘结层；
12.衬底位于介质存储网格、液气双态介质、密封胶、弹力层和粘结层的上方，介质存储网格、液气双态介质和密封胶位于衬底的下方和弹力层的上方，介质存储网格铺设在衬底的下表面，液气双态介质分布在介质存储网格中，密封胶位于介质存储网格和液气双态介质的径向外侧，衬底、密封胶和弹力层组成一个密闭空间，介质存储网格和液气双态介质被封闭在衬底、密封胶和弹力层组成的密闭空间内，粘结层位于弹力层的下表面，通过粘结层自身的粘力涂覆于弹力层的下表面上。
13.上述的转移晶膜制作方法包括：
14.步骤1：在衬底的下表面铺设一层介质存储网格；步骤2：在介质存储网格周围涂覆
一圈密封胶；步骤3：在弹力层的下表面涂覆一层粘结层；步骤4：向介质存储网格中注入液气双态介质；步骤5：将涂覆有粘结层的弹力层覆盖住密封胶和介质存储层，将液气双态介质密封；步骤6：将粘结好的一种液气双态mini/micro led芯片巨量转移用晶膜，放入真空容器抽真空，实现液气双态介质在常温密闭环境下与衬底和弹力层紧密接触。
15.与现有技术相比，本发明所提供的液气双态mini/micro led芯片巨量转移用晶膜及制作方法，由于采用液气双态介质方式，与热释放方式相比，避免了晶膜粘性变化不均，芯片释放过程受力不均，依靠芯片自重剥落导致芯片姿态不易控，工作温度高等缺陷，实现了友好环境温度下芯片高精度转移；与烧蚀方式相比，避免了烧蚀释放过程中芯片落姿不易控，良品率不高，污染工作环境，晶膜不能重复使用，工作温度高等缺陷，在无污染和友好环境温度下实现晶膜的重复利用和芯片的高精度转移。
附图说明
16.图1为本发明实施例的液气双态mini/micro led芯片巨量转移用晶膜的结构示意图；
17.图2为本发明实施例的衬底、介质存储网格、密封胶的结构示意图；
18.图3为本发明实施例的芯片转移过程中晶膜结构示意图；
19.图4为本发明实施例的晶膜制作流程示意图。
具体实施方式
20.下面结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述；显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例，这并不构成对本发明的限制。基于本发明的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明的保护范围。
21.首先对本文中可能使用的术语进行如下说明：
22.术语“和/或”是表示两者任一或两者同时均可实现，例如，x和/或y表示既包括“x”或“y”的情况也包括“x和y”的三种情况。
23.术语“包括”、“包含”、“含有”、“具有”或其它类似语义的描述，应被解释为非排它性的包括。例如：包括某技术特征要素(如原料、组分、成分、载体、剂型、材料、尺寸、零件、部件、机构、装置、步骤、工序、方法、反应条件、加工条件、参数、算法、信号、数据、产品或制品等)，应被解释为不仅包括明确列出的某技术特征要素，还可以包括未明确列出的本领域公知的其它技术特征要素。
24.术语“由
……
组成”表示排除任何未明确列出的技术特征要素。若将该术语用于权利要求中，则该术语将使权利要求成为封闭式，使其不包含除明确列出的技术特征要素以外的技术特征要素，但与其相关的常规杂质除外。如果该术语只是出现在权利要求的某子句中，那么其仅限定在该子句中明确列出的要素，其他子句中所记载的要素并不被排除在整体权利要求之外。
25.术语“质量份”是表示多个组分之间的质量比例关系，例如：如果描述了x组分为x 质量份、y组分为y质量份，那么表示x组分与y组分的质量比为x:y；1质量份可表示任意的质量，例如：1质量份可以表示为1kg也可表示3.1415926kg等。所有组分的质量份之和并不一
定是100份，可以大于100份、小于100份或等于100份。除另有说明外，本文中所述的份、比例和百分比均按质量计。
26.除另有明确的规定或限定外，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如：可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本文中的具体含义。
27.当浓度、温度、压力、尺寸或者其它参数以数值范围形式表示时，该数值范围应被理解为具体公开了该数值范围内任何上限值、下限值、优选值的配对所形成的所有范围，而不论该范围是否被明确记载；例如，如果记载了数值范围“2～8”时，那么该数值范围应被解释为包括“2～7”、“2～6”、“5～7”、“3～4和6～7”、“3～5和 7”、“2和5～7”等范围。除另有说明外，本文中记载的数值范围既包括其端值也包括在该数值范围内的所有整数和分数。
28.术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”[0029]“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述和简化描述，而不是明示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本文的限制。
[0030]
本发明实施例中未作详细描述的内容属于本领域专业技术人员公知的现有技术。本发明实施例中未注明具体条件者，按照本领域常规条件或制造商建议的条件进行。本发明实施例中所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。
[0031]
本发明的液气双态mini/micro led芯片巨量转移用晶膜，包括衬底、介质存储网格、液气双态介质、密封胶、弹力层和粘结层；
[0032]
衬底位于介质存储网格、液气双态介质、密封胶、弹力层和粘结层的上方，介质存储网格、液气双态介质和密封胶位于衬底的下方和弹力层的上方，介质存储网格铺设在衬底的下表面，液气双态介质分布在介质存储网格中，密封胶位于介质存储网格和液气双态介质的径向外侧，衬底、密封胶和弹力层组成一个密闭空间，介质存储网格和液气双态介质被封闭在衬底、密封胶和弹力层组成的密闭空间内，粘结层位于弹力层的下表面，通过粘结层自身的粘力涂覆于弹力层的下表面上。
[0033]
衬底为刚性和透光率较好的玻璃、蓝宝石材料的一种，其透过率大于88％。介质存储网格为吸收液体性能较好的单层网状石墨烯、脱脂棉、高吸水性塑料中的一种，其厚度为20μm～500μm。液气双态介质为常压沸点不高于100℃，常压熔点低于10℃，且易升温的蒸馏水、丙酮、戊烷材料中的一种。密封胶为密封性能较好，柔软有弹性且可耐压耐热的丙烯酸、环氧树脂、有机硅中的一种。弹力层为具有良好的可恢复形变能力的 pdms、pi、tpee、tpu、pu、sbs、tpr、poe材料中的一种。粘结层为热减粘胶或 uv减粘胶，未受热或未照射紫外光前粘结力为1n～50n/25mm，受热或照射紫外光后粘结力为0n～0.1n/25mm。照射液气双态介质的激光波长为500nm～1800nm，功率为 0.1w～20w。
[0034]
本发明的转移晶膜制作方法包括：
[0035]
步骤1：在衬底的下表面铺设一层介质存储网格；步骤2：在介质存储网格周围涂覆一圈密封胶；步骤3：在弹力层的下表面涂覆一层粘结层；步骤4：向介质存储网格中注入液
气双态介质；步骤5：将涂覆有粘结层的弹力层覆盖住密封胶和介质存储层，将液气双态介质密封；步骤6：将粘结好的一种液气双态mini/micro led芯片巨量转移用晶膜，放入真空容器抽真空，实现液气双态介质在常温密闭环境下与衬底和弹力层紧密接触。在真空容器中抽真空时间为10～30分钟，真空度小于1000pa。
[0036]
上述方案的原理是：
[0037]
转移过程中，借助液气双态介质易升温且沸点低的特性和粘结层受热后粘性显著降低的特性，采用与液气双态介质吸收图谱相匹配的激光穿过衬底照射液气双态介质，驱使液气双态介质温度迅速刚好升至沸点气化，同时显著降低粘结层对芯片上表面的粘力。液气双态介质气化后，在衬底、密封胶和弹力层组成的一个密闭空间中形成一个微小的气泡，形变性能良好的弹力层在气泡作用下，推动芯片向下移动。当黏附在粘结层芯片的下表面接触到涂有锡膏或导电胶的目标基板时，因芯片上表面与粘结层的粘力远小于芯片下表面锡膏或导电胶与目标基板的粘力，芯片从粘结层剥落至目标基板。此时激光停止照射，液气双态介质瞬间液化，气泡消失，弹力层向上恢复原位，实现芯片的转移。
[0038]
本发明与现有技术相比的优点在于：
[0039]
本发明由于采用液气双态介质方式，与热释放方式相比，避免了晶膜粘性变化不均，芯片释放过程受力不均，依靠芯片自重剥落导致芯片姿态不易控，工作温度高等缺陷，实现了友好环境温度下芯片高精度转移；与烧蚀方式相比，避免了烧蚀释放过程中芯片落姿不易控，良品率不高，污染工作环境，晶膜不能重复使用，工作温度高等缺陷，在无污染和友好环境温度下实现晶膜的重复利用和芯片的高精度转移。
[0040]
综上可见，本发明实施例的液气双态mini/micro led芯片巨量转移用晶膜及制作方法，接近日常温度，变形量可控，且可重复使用，可用于mini/micro led芯片快速、准确、无损伤和无污染转移至目标基板，大幅提升led芯片转移效率和转移良品率。
[0041]
为了更加清晰地展现出本发明所提供的技术方案及所产生的技术效果，下面以具体实施例对本发明实施例所提供的进行详细描述。
[0042]
实施例1
[0043]
如图1所示，一种液气双态mini/micro led芯片巨量转移用晶膜由衬底1、介质存储网格2、液气双态介质3、密封胶4、弹力层5和粘结层6组成。其特征在于：衬底1位于介质存储网格2、液气双态介质3、密封胶4、弹力层5和粘结层6的上方，介质存储网格2、液气双态介质3和密封胶4位于衬底1的下方和弹力层5的上方，介质存储网格2铺设在衬底1 的下表面，液气双态介质3分布在介质存储网格2中，密封胶4位于介质存储网格2和液气双态介质3的径向外侧，衬底1、密封胶4和弹力层5组成一个密闭空间，介质存储网格2和液气双态介质3被封闭在衬底1、密封胶4和弹力层5组成的密闭空间内，粘结层6位于弹力层5的下表面，通过粘结层6自身的粘力涂覆于弹力层5的下表面上。衬底1为刚性和透光率较好的玻璃、蓝宝石材料中的一种，其透过率大于88％。介质存储网格2为吸收液体性能较好的单层网状石墨烯、脱脂棉、高吸水性塑料中的一种，其厚度为20μm～500μm。液气双态介质3为常压沸点不高于100℃，常压熔点低于10℃，且易升温的蒸馏水、丙酮、戊烷材料中的一种。密封胶4为密封性能较好，柔软有弹性且可耐压耐热的丙烯酸、环氧树脂、有机硅中的一种。弹力层5为具有良好的可恢复形变能力的pdms、pi、 tpee、tpu、pu、sbs、tpr、poe材料中的一种。
[0044]
如图2所示为，本发明实施例的衬底1、介质存储网格2、密封胶4的结构示意图，衬
底1位于介质存储网格2和密封胶4的上方，介质存储网格2铺设在衬底1的下表面，密封胶 4位于介质存储网格2的径向外侧，介质存储网格2和密封胶4具有相同厚度。
[0045]
如图3所示为，本发明实施例的芯片7转移过程中晶膜结构示意图，激光8透过衬底1 照射分布于介质存储网格2内部的液气双态介质3，液气双态介质3吸收激光8的能量迅速刚好升至沸点气化，同时提升粘结层6的温度，降低粘结层6对芯片7上表面的粘力。液气双态介质3气化后，在衬底1、密封胶4和弹力层5组成的一个密闭空间中形成一个微小的气泡9，形变性能良好的弹力层7在气泡9作用下，推动芯片7向下移动。当黏附在粘结层6 芯片7的下表面接触到涂有锡膏或导电胶10的目标基板11时，因芯片7上表面与粘结层6的粘力远小于芯片下表面锡膏或导电胶10与目标基板11的粘力，芯片7从粘结层6剥落至目标基板11。当激光8停止照射液气双态介质3瞬间液化成液态，弹力层5恢复原状，如图1所示。激光8依次照射芯片7对应的工位，重复完成上述步骤，完成芯片7的巨量转移。粘结层6为热减粘胶或uv减粘胶，未受热或未照射紫外光前粘结力为1n～50n/25mm，受热或照射紫外光后粘结力为0n～0.1n/25mm。照射液气双态介质3的激光8波长为 500nm～1800nm，功率为0.1w～20w。
[0046]
如图4所示，一种液气双态mini/micro led芯片巨量转移用晶膜的制作流程为：
[0047]
步骤1：在衬底1的下表面铺设一层介质存储网格2；
[0048]
步骤2：在弹力层5的下表面涂覆一层粘结层6；
[0049]
步骤3：在介质存储网格2周围涂覆一圈密封胶4；
[0050]
步骤4：向介质存储网格2中注入液气双态介质3；
[0051]
步骤5：将涂覆有粘结层6的弹力层5覆盖住密封胶3和介质存储层2，将液气双态介质 3密封；
[0052]
步骤6：将粘结好的一种液气双态mini/micro led芯片巨量转移用晶膜，放入真空容器抽真空，实现液气双态介质3在常温密闭环境下与衬底1和弹力层5紧密接触。
[0053]
在真空容器中抽真空时间为10～30分钟，真空度小于1000pa。
[0054]
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明披露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。本文背景技术部分公开的信息仅仅旨在加深对本发明的总体背景技术的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。
技术特征：1.一种液气双态mini/micro led芯片巨量转移用晶膜，其特征在于：包括衬底(1)、介质存储网格(2)、液气双态介质(3)、密封胶(4)、弹力层(5)和粘结层(6)；所述衬底(1)位于介质存储网格(2)、液气双态介质(3)、密封胶(4)、弹力层(5)和粘结层(6)的上方，介质存储网格(2)、液气双态介质(3)和密封胶(4)位于衬底(1)的下方和弹力层(5)的上方，介质存储网格(2)铺设在衬底(1)的下表面，液气双态介质(3)分布在介质存储网格(2)中，密封胶(4)位于介质存储网格(2)和液气双态介质(3)的径向外侧，衬底(1)、密封胶(4)和弹力层(5)组成一个密闭空间，介质存储网格(2)和液气双态介质(3)被封闭在衬底(1)、密封胶(4)和弹力层(5)组成的密闭空间内，粘结层(6)位于弹力层(5)的下表面，通过粘结层(6)自身的粘力涂覆于弹力层(5)的下表面上。2.根据权利要求1所述的液气双态mini/micro led芯片巨量转移用晶膜，其特征在于：所述衬底(1)为刚性和透光率较好的玻璃、蓝宝石材料中的一种，其透过率大于88％。3.根据权利要求1所述的液气双态mini/micro led芯片巨量转移用晶膜，其特征在于：所述介质存储网格(2)为吸收液体性能较好的单层网状石墨烯、脱脂棉、高吸水性塑料中的一种，其厚度为20μm～500μm。4.根据权利要求1所述的液气双态mini/micro led芯片巨量转移用晶膜，其特征在于：所述液气双态介质(3)为常压沸点不高于100℃，常压熔点低于10℃，且易升温的蒸馏水、丙酮、戊烷材料中的一种。5.根据权利要求1所述的液气双态mini/micro led芯片巨量转移用晶膜，其特征在于：所述密封胶(4)为密封性能较好，柔软有弹性且可耐压耐热的丙烯酸、环氧树脂、有机硅中的一种。6.根据权利要求1所述的液气双态mini/micro led芯片巨量转移用晶膜，其特征在于：所述弹力层(5)为具有良好的可恢复形变能力的pdms、pi、tpee、tpu、pu、sbs、tpr、poe材料中的一种。7.根据权利要求1所述的液气双态mini/micro led芯片巨量转移用晶膜，其特征在于：所述粘结层(6)为热减粘胶或uv减粘胶，未受热或未照射紫外光前粘结力为1n～50n/25mm，受热或照射紫外光后粘结力为0n～0.1n/25mm。8.根据权利要求1所述的液气双态mini/micro led芯片巨量转移用晶膜，其特征在于：照射液气双态介质(3)的激光波长为500nm～1800nm，功率为0.1w～20w。9.一种权利要求1至8任一项所述的液气双态mini/micro led芯片巨量转移用晶膜的制作方法，其特征在于，包括步骤：步骤1：在衬底(1)的下表面铺设一层介质存储网格(2)；步骤2：在弹力层(5)的下表面涂覆一层粘结层(6)；步骤3：在介质存储网格(2)周围涂覆一圈密封胶(4)；步骤4：向介质存储网格(2)中注入液气双态介质(3)；步骤5：将涂覆有粘结层(6)的弹力层(5)覆盖住密封胶(3)和介质存储层(2)，将液气双态介质(3)密封；步骤6：将粘结好的一种液气双态mini/micro led芯片巨量转移用晶膜，放入真空容器抽真空，实现液气双态介质(3)在常温密闭环境下与衬底(1)和弹力层(5)紧密接触。10.根据权利要求9所述的液气双态mini/micro led芯片巨量转移用晶膜的制作方法，
其特征在于：在真空容器中抽真空时间为10～30分钟，真空度小于1000pa。
技术总结本发明公开了一种液气双态Mini/Micro LED芯片巨量转移用晶膜及制作方法，包括衬底、介质存储网格、液气双态介质、密封胶、弹力层和粘结层；借助液气双态介质易升温且沸点低和粘结层受热后粘性显著降低的特性，采用与液气双态介质吸收图谱相匹配的激光穿过衬底照射液气双态介质使之气化产生气泡，推动芯片转移至目标基板，实现芯片的巨量转移。与现有热释放和烧蚀释放相比，能够在友好环境温度和不产生污染物的条件下，实现晶膜的重复利用和芯片的高精度巨量转移。高精度巨量转移。高精度巨量转移。
技术研发人员：刘强 徐杰 俞建荣 赵甜甜 李晶 盛沙 王和标 马宁
受保护的技术使用者：北京石油化工学院
技术研发日：2022.03.30
技术公布日：2022/7/5
