1.本发明涉及显示技术领域，更具体地，涉及一种像素电路及其驱动方法、显示面板。
背景技术：2.有机发光二极管(organic light-emitting diode，oled)是20世纪中期发展起来的一种新型显示器件。oled 具有超轻薄、全固态、主动发光、响应速度快、高对比度、无视角限制、工作温度范围宽、低功耗、低成本、抗震能力强和可实现柔性显示等诸多优点，被誉为“梦幻显示器”。oled 显示器的优越性能和巨大的市场潜力,吸引全世界众多厂家和科研机构投入到 oled 器件的生产和研发中。
3.由于amoled（有源矩阵有机发光二极管）的发展，大尺寸oled显示屏通常采用tft（薄膜晶体管）来驱动阳极供电。而对于微型oled显示屏，则采用cmos电路来完成驱动的功能。但由于制程良率的限制，底层驱动电路会存在部分坏点，晶体管无法被关断，导致oled显示黑画面时有亮点的现象。尤其是针对一些特殊领域，高亮度的oled器件，由于更大的负载压力，其亮点现象更加严峻。
4.在现有的修复屏幕亮点的方案中，激光修复是最常见的一种方案。激光修复是采用高能量的激光脉冲扫描底层驱动电路或有机功能层，将该层完全气化，从而实现栅漏极或阴阳极直接短接，实现短路。该方法对激光能量的控制要求较高，过高的能量会导致热影响严重，气化产生的热应力会难以释放，引起薄膜缺陷。由于oled器件对封装层致密性有极高要求，该方法甚至容易引起封装层的损坏，导致不可逆转的破坏。过低的能量会导致少部分有机功能层残存，膜厚和成分的变化会引起电压变大，导致器件亮度异常增高，进一步加剧了亮点亮度。现有的激光修复工艺只能应用在大尺寸oled面板，对于微型oled器件，其像素尺寸达到微米级别，像素之间的间距更是可能小于1um，由于激光修复设备的加工精度、光斑大小、光学衍射等问题在这一尺度的影响越发明显，在实际生产中，隔离法的工艺以及前道工艺的稳定性是一个关键性的问题。进一步的，激光修复依赖于激光修复设备，成本较高。
5.因此，期望提供一种改进的像素电路，以解决上述问题。
技术实现要素：6.鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种像素电路及其驱动方法、显示面板，从而提高亮点修复的良率、精确度和效率，并降低成本。
7.根据本发明的第一方面，提供一种像素电路，包括：驱动单元，连接在第一电源和第二电源之间；控制单元，连接至所述驱动单元，用于控制所述驱动单元的开关状态；发光单元，经由所述驱动单元连接至所述第一电源，所述发光单元的发光状态至少受控于所述驱动单元的开关状态；以及
记忆电阻，串联在所述第一电源和所述驱动单元形成的电路结构内，用于控制所述第一电源和所述驱动单元之间的电流路径，其中，在初始化模式中，所述第一电源为高电平电压，所述第二电源为低电平电压，使得所述记忆电阻呈低阻态，在修复模式中，所述第一电源为低电平电压，所述第二电源为高电平电压，使得所述记忆电阻呈高阻态，从而切断所述第一电源和所述发光单元之间的所述电流路径，使得所述发光单元停止发光。
8.可选的，在多个像素电路进入所述修复模式时，对于未发生故障的像素电路，所述控制单元控制所述驱动单元关断，所述第二电源与所述记忆电阻之间的电流路径被关断，对于发生故障的像素电路，所述控制单元控制所述驱动单元导通，所述第二电源与所述记忆电阻之间的电流路径被导通。
9.可选的，所述驱动单元包括串联的第一晶体管和第二晶体管，所述发光单元连接至所述第一晶体管和所述第二晶体管之间的串联节点，所述第一晶体管的控制端接收所述控制单元提供的第一控制电压，所述第二晶体管的控制端接收所述控制单元提供的第二控制电压，其中，在所述修复模式中，对于所述未发生故障的像素电路，所述第一控制电压和所述二控制电压中的至少一个为第一电平，以关断所述第一晶体管和所述第二晶体管中的至少一个，对于所述发生故障的像素电路，所述第一控制电压和所述二控制电压均为第二电平，以导通所述第一晶体管和所述第二晶体管。
10.可选的，还包括：检测单元，在检测模式中，基于光学原理将所述多个像素电路划分为所述未发生故障的像素电路和所述发生故障的像素电路；以及处理单元，将各个所述发生故障的像素电路的坐标位置转换为用于控制所述控制单元的时序信号，其中，在所述修复模式中，所述控制单元基于所述时序信号提供所述第一控制信号和所述第二控制信号，以控制所述驱动单元的开关状态。
11.可选的，在工作模式中，所述第一电源为高电平电压，所述第二电源为低电平电压，对于发生故障的像素电路，所述记忆电阻维持在高阻态。
12.可选的，所述记忆电阻包括：顶部金属层和底部金属层；以及位于所述顶部金属层和所述底部金属层之间的氧化层，其中，在所述初始化模式中，所述第一电源和所述第二电源向所述记忆电阻的所述顶部金属层和所述底部金属层提供正向偏压，所述正向偏压大于所述记忆电阻的形成电压，在所述氧化层中形成导电纤维，从而使得所述记忆电阻呈低阻态，在所述修复模式中，所述第一电源和所述第二电源向所述记忆电阻提供反向偏压，从而使得所述记忆电阻呈高阻态。
13.根据本发明的第二方面，提供一种像素电路的驱动方法，所述像素电路包括串联在第一电源和第二电源之间的记忆电阻和驱动单元、连接至所述驱动单元的控制单元和发
光单元，所述驱动方法包括：在初始化模式中，将所述第一电源配置为高电平电压，将所述第二电源配置为低电平电压，使得所述记忆电阻呈低阻态；在修复模式中，将所述第一电源配置为低电平电压，将所述第二电源配置为高电平电压，使得所述记忆电阻呈高阻态，从而切断所述第一电源和所述发光单元之间的电流路径，使得所述发光单元停止发光。
14.可选的，还包括：在工作模式中，将所述第一电源配置为高电平电压，将所述第二电源配置为低电平电压，并利用所述控制单元控制所述驱动单元的开关状态，以控制所述发光单元的发光状态，其中，对于发生故障的像素电路，所述记忆电阻维持在高阻态。
15.可选的，在多个像素电路进入所述修复模式时，对于未发生故障的像素电路，利用所述控制单元控制所述驱动单元关断，所述第二电源与所述记忆电阻之间的电流路径被关断，对于发生故障的像素电路，利用所述控制单元控制所述驱动单元导通，所述第二电源与所述记忆电阻之间的电流路径被导通。
16.根据本发明的第三方面，提供一种显示面板，包括多个如上所述的像素电路。
17.本发明提供的像素电路及其驱动方法、显示面板，通过控制记忆电阻两端的电压，利用记忆电阻对显示面板的亮点进行断路处理，实现了精准、有效的电学式亮点修复，提高了亮点修复的效率，并降低了成本。
附图说明
18.通过以下参照附图对本发明实施例的描述，本发明的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：图1示出了根据本发明实施例的显示面板的示意图；图2示出了根据本发明实施例的像素电路的框图；图3示出了根据本发明实施例的像素电路的电路图；图4示出了根据本发明实施例的记忆电阻的结构图；图5示出了根据本发明实施例的流经记忆电阻的电流随电压的变换关系示意图；图6示出了根据本发明实施例的像素电路的驱动方法的流程图。
具体实施方式
19.以下将参照附图更详细地描述本发明。在各个附图中，相同的元件采用类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的各个部分没有按比例绘制。此外，在图中可能未示出某些公知的部分。
20.在下文中描述了本发明的许多特定的细节，例如器件的结构、材料、尺寸、处理工艺和技术，以便更清楚地理解本发明。但正如本领域的技术人员能够理解的那样，可以不按照这些特定的细节来实现本发明。
21.应理解，本技术实施例中的a与b连接/耦接，表示a与b可以串联连接或并联连接，
或者a与b通过其他的器件，本技术实施例对此不作限定。
22.下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。
23.图1示出了根据本发明实施例的显示面板的示意图。在图1中以有源矩阵有机发光二极体(active-matrix organic light emitting diode, amoled)为例，对本发明实施例的显示面板进行说明。应当理解，本发明对显示面板的类型不做限制，例如，显示面板还可以是硅基oled显示面板、microled显示面板、miniled显示面板、am miniled显示面板等。
24.如图1所示，amoled显示面板100在显示区域包括多个阵列式排布的像素电路110，在非显示区域包括伽马电压生成电路10、源极驱动电路120、栅极驱动电路130以及电源芯片140。源极驱动电路120根据伽马电压生成电路10提供的伽马电压vgma生成多个灰阶电压，并将多个灰阶电压经由源极线s1至sn发送至各列像素电路110；栅极驱动电路130经由栅极线g1至gm向各行像素电路110提供扫描信号；电源芯片140分别连接至各个像素电路110，并向各个像素电路110提供电源电压elvdd。
25.图2示出了根据本发明实施例的像素电路的框图。如图2所示，该像素电路110包括驱动单元111、控制单元112、发光单元113以及记忆电阻（resistive random access memory, rram）r1。
26.驱动单元111连接在第一电源vdd和第二电源vds之间；控制单元112连接至驱动单元111，用于控制驱动单元111的开关状态；发光单元113经由驱动单元111连接至第一电源vdd，发光单元113的发光状态至少受控于驱动单元111的开关状态；记忆电阻r1串联在驱动单元111和第一电源vdd形成的电路结构内，用于控制第一电源vdd和驱动单元111之间的电流路径。在该实施例中，记忆电阻r1连接在第一电源vdd和驱动单元111之间，在替代的实施例中，当驱动单元11内部包括多个电路元件时，记忆电阻r1也可以串联在该多个元件之间，以控制第一电源vdd到驱动单元111电流路径，从而进一步控制第一电源vdd到发光单元113之间的电流路径。
27.在像素电路110刚出厂时，由于形成记忆电阻r1的晶片上没有施加过偏压，此时记忆电阻r1趋于无穷大，第一电源vdd与驱动单元111之间的电流路径处于关断状态，因此，在像素电路110出厂后，需将像素电路110初始化，使记忆电阻r1由高阻态变为低阻态，从而像素电路110可以正常工作。
28.具体的，在像素电路110出厂后，控制像素电路110进入初始化模式，在初始化模式中，将第一电源vdd设置为高电平电压，将第二电源vds设置为低电平电压，使得记忆电阻r1呈低阻态。
29.由于制程良率的限制，底层驱动电路会存在部分坏点，像素电路中的晶体管无法被关断，导致显示面板（可参见图1）显示黑画面时有亮点的现象，该现象常发生于显示面板的使用过程中。一旦显示面板发生了亮点缺陷，即可控制显示面板中发生亮点缺陷的像素电路110进入修复模式。具体的，在像素电路110的修复模式中，第一电源vdd为低电平电压，第二电源vds为高电平电压，使得记忆电阻r1呈高阻态，从而切断第一电源vdd和发光单元113之间的电流路径，使得发光单元113停止发光，这样就达到了亮点修复的目的。
30.在另一些实施例中，对于部分像素电路110发生亮点缺点的显示面板，可以控制显示面板所包含的多个像素电路110均进入修复模式。在多个像素电路110进入修复模式时，对于未发生故障的像素电路110，控制单元112控制驱动单元111关断，第二电源vds与记忆
电阻r1之间的电流路径被关断，从而记忆电阻r1两端的电压无法达到使电阻值变化的阈值电压，记忆电阻r1仍是低阻态；对于发生故障的像素电路110，控制单元112控制驱动单元111导通，第二电源vds与记忆电阻r1之间的电流路径被导通，记忆电阻r1两端的电压达到使电阻值变化的阈值电压，记忆电阻r1切换至高阻态。
31.作为一个示例，像素电路110还包括检测单元114和处理单元115，检测单元114例如基于光学原理将显示面板中的多个像素电路110划分为未发生故障的像素电路110和发生故障的像素电路110，并将各个发生故障的像素电路110的坐标位置发送给处理单元115。例如，显示面板显示黑图案之后, 基于光学原理可以定位到发生亮点缺陷的坐标位置(x,y,z)，x为横坐标，y为纵坐标，z为（r/g/b）三个中的一个。在修复模式中，处理单元115将发生故障的像素电路110的坐标位置转换为用于控制控制单元112的时序信号，控制单元112基于表征发生故障的像素电路110的坐标位置的时序信号控制驱动单元111的开关状态，例如，控制单元112在接收到表征发生故障的像素电路110的坐标位置的时序信号之后，控制其驱动单元111导通，并将第一电源vdd设置为低电平电压，将第二电源vds设置为高电平电压，使得记忆电阻r1呈高阻态。
32.在像素电路110的修复模式结束之后，即使去掉第一电源vdd和第二电源vds提供的反向偏压或者恢复至正向偏压，记忆电阻r1仍维持在高阻态。即使像素电路110之后再进入正常的工作模式，记忆电阻r1仍可以维持在高阻态，以避免亮点缺陷。例如，在工作模式中，第一电源vdd为高电平电压，第二电源vds为低电平电压，对于发生故障的像素电路110，记忆电阻r1维持在高阻态。
33.图3示出了根据本发明实施例的像素电路的电路图。该电路仅作为一个示例来对本技术实施例的像素电路进行详细说明，应理解，本发明不限于此，本发明的技术方案还适用于传统的2t1c、3t1c、4t1c、5t2c等各种形式的像素电路。
34.如图3所示，该像素电路110包括驱动单元111、控制单元112、发光单元113、记忆电阻r1、检测单元114以及处理单元115，其总体结构和基本原理可参见图2，在此不再赘述其相同之处。其中，驱动单元111、控制单元112、发光单元113、记忆电阻r1构成像素电路110中的基础像素结构，检测单元114和处理单元115可作为基础像素结构的外围电路，集成在显示面板的显示区域外围电路中，也可以集成于芯片中，本技术对其具体实现方式不做限制。
35.在该实施例中，驱动单元111包括串联的第一晶体管m1和第二晶体管m2，发光单元113为有机发光二极管oled。第一晶体管m1作为驱动晶体管，第二晶体管m2作为复位晶体管，有机发光二极管oled的阳极连接至第一晶体管m1和第二晶体管m2之间的串联节点，有机发光二极管oled的阴极连接至公共电源vcom。在替代的实施例中，记忆电阻r1可以连接在第一晶体管m1和第二晶体管m2之间，以控制第一电源vdd和驱动单元112之间的电流路径，即，控制了第一电源vdd与有机发光二极管oled之间的电流路径。
36.第一晶体管m1的控制端接收控制单元112提供的第一控制电压sw1，第二晶体管m2的控制端接收控制单元112提供的第二控制电压sw2。当第一控制电压sw1为第一电平时，第一晶体管m1关断，当第一控制电压sw1为第二电平时，第一晶体管m1导通，第二晶体管m2的导通特性与第一晶体管m1类似，在此不再赘述。
37.在该实施例中，第一晶体管m1和第二晶体管m2均为p型晶体管，则设置第一电平为高电平，第二电平为低电平。在替代的实施例中，第一晶体管m1和第二晶体管m2可以是n型
晶体管，则设置第一电平为低电平，第二电平为高电平。
38.在初始化模式中，控制单元112提供的第一控制电压sw1和第二控制电压sw2均为第二电平，以控制驱动单元111导通，从而对记忆电阻r1进行初始化处理。
39.在修复模式中，对于未发生故障的像素电路110，控制单元112提供的第一控制电压sw1和第二控制电压sw2中的至少一个为第一电平，以关断第一晶体管m1和第二晶体管m2；对于发生故障的像素电路110，控制单元112提供的第一控制电压sw1和第二控制电压sw2均为第二电平，以导通第一晶体管m1和第二晶体管m2。
40.在修复模式中，显示面板显示黑图案之后, 检测单元114基于光学原理可以定位到发生亮点缺陷的坐标位置(x,y,z)，x为横坐标，y为纵坐标，z为（r/g/b）三个中的一个，处理单元115根据发生亮点缺陷的坐标位置生成用于控制控制单元112的时序信号。在修复模式中，控制单元112基于可以表征发生故障的像素电路110的坐标位置的时序信号控制驱动单元111的开关状态。例如，处理单元115利用坐标位置中的x和z控制控制单元112提供的第一控制电压sw1的电平，利用坐标位置中的y控制控制单元112提供的第一控制电压sw2的电平，因此，在控制单元112在接收到表征发生故障的像素电路110的坐标位置的时序信号之后，可以提供第二电平的第一控制电压sw1和第二控制电压sw2，以控制其驱动单元111导通，并将第一电源vdd设置为低电平电压，将第二电源vds设置为高电平电压，使得记忆电阻r1呈高阻态。
41.作为一个示例，控制单元112例如包括一个开关管和一个存储电容（未示出）。在工作模式中，开关管的导通与关断受控于扫描信号；存储电容用于经开关管接收灰阶电压，并存储灰阶电压；第一晶体管m1用于在开关管的关断阶段内根据电源电压和被存储的灰阶电压向有机发光二极管oled提供驱动电压或驱动电流。
42.图4示出了根据本发明实施例的记忆电阻的结构图。图5示出了根据本发明实施例的流经记忆电阻的电流随电压的变换关系示意图，横坐标表示记忆电阻两端的电压，纵坐标表示流经记忆电阻的电流，实线表示记忆电阻处于高阻态，虚线表示记忆电阻处于低阻态。
43.如图4所示，记忆电阻200包括顶部金属层201、底部金属层202以及位于顶部金属层201和底部金属层202之间的氧化层203。该记忆电阻200作为图2和图3中提到的记忆电阻r1。顶部金属层201和底部金属层202的材料例如是tan或tin，氧化层203的材料例如是nio、tiox、hfox等。
44.如图5所示，记忆电阻200的特性是：在未加电压时，由于氧化层203默认绝缘，记忆电阻200两端为高阻态(high resistance state, hrs)；如果在记忆电阻200两端加一电压，且该电压超过“形成电压”（forming voltage）时，则氧化层203内形成“导电纤维”（conductive filatment, cf），从而进入低阻态(low resistance state, lrs)，低阻态比高阻态约低三个数量级；以双极型（bipolar）的记忆电阻200为例，若给处于低阻态的记忆电阻200两端加一反向的电压，记忆电阻200将从低阻态复位为高阻态。
45.在像素电路的初始化模式中，第一电源vdd和第二电源vds向记忆电阻200的顶部金属层201和底部金属层202提供正向偏压，正向偏压大于记忆电阻200的形成电压，在氧化层203中形成导电纤维，从而使得记忆电阻200呈低阻态，在像素电路的修复模式中，第一电源vdd和第二电源vds向记忆电阻200提供反向偏压，从而使得记忆电阻呈高阻态。
46.本发明提供的像素电路具有如下优势：1）记忆电阻的结构简单、易于实现，在传统的像素电路的结构基础上，仅需在晶片增加三层结构层，因此，在不增加像素电路器件的前提下，可以实现精准的显示面板亮点修复；2）相比于传统的激光修复方法，可以节省激光修复发方法中所需激光设备的高额成本；4)可以提高显示面板修复的效率，最多仅需一帧（大约16ms）可实现所有修复工作；5)不仅可以单显示面板修复，还可以多显示面板一起修复，多显示面板修复相比于单显示面板修复增加的成本只是控制电路，相对于多台激光设备微不足道；6)每个像素电路都可以被精确修复，可以提高显示面板修复的良率，理论上显示面板的修复良率是可达到100%；7)适用于oled大尺寸面板（柔性板，刚性板）、硅基oled 和microled 等各种使用有源选址驱动(active matrix, am)的面板中，适用范围广。
47.图6示出了根据本发明实施例的像素电路的驱动方法的流程图。
48.本发明实施例还提供了一种像素电路的驱动方法，像素电路包括串联在第一电源和第二电源之间的记忆电阻和驱动单元、连接至驱动单元的控制单元和发光单元，像素电路的具体结构可参见图2-4，在此不再赘述。该像素电路的驱动方法包括步骤s1-s2。
49.步骤s1：在初始化模式中，将第一电源配置为高电平电压，将第二电源配置为低电平电压，使得记忆电阻呈低阻态；步骤s2：在修复模式中，将第一电源配置为低电平电压，将第二电源配置为高电平电压，使得记忆电阻呈高阻态，从而切断第一电源和发光单元之间的电流路径，使得发光单元停止发光。
50.在一些实施例中，在多个像素电路进入修复模式时，对于未发生故障的像素电路，利用控制单元控制驱动单元关断，第二电源与记忆电阻之间的电流路径被关断，对于发生故障的像素电路，利用控制单元控制驱动单元导通，第二电源与记忆电阻之间的电流路径被导通。
51.可选的，该像素电路的驱动方法还包括步骤s3。
52.步骤s3：在工作模式中，将第一电源配置为高电平电压，将第二电源配置为低电平电压，并利用控制单元控制驱动单元的开关状态，以控制发光单元的发光状态，其中，对于发生故障的像素电路，记忆电阻维持在高阻态。
53.应当说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
54.依照本发明的实施例如上文所述，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不
限制该发明仅为所述的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本发明以及在本发明基础上的修改使用。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。
技术特征：1.一种像素电路，其特征在于，包括：驱动单元，连接在第一电源和第二电源之间；控制单元，连接至所述驱动单元，用于控制所述驱动单元的开关状态；发光单元，经由所述驱动单元连接至所述第一电源，所述发光单元的发光状态至少受控于所述驱动单元的开关状态；以及记忆电阻，串联在所述第一电源和所述驱动单元形成的电路结构内，用于控制所述第一电源和所述发光单元之间的电流路径，其中，在初始化模式中，所述第一电源为高电平电压，所述第二电源为低电平电压，使得所述记忆电阻呈低阻态，在修复模式中，所述第一电源为低电平电压，所述第二电源为高电平电压，使得所述记忆电阻呈高阻态，从而切断所述第一电源和所述发光单元之间的所述电流路径，使得所述发光单元停止发光。2.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，在多个像素电路进入所述修复模式时，对于未发生故障的像素电路，所述控制单元控制所述驱动单元关断，所述第二电源与所述记忆电阻之间的电流路径被关断，对于发生故障的像素电路，所述控制单元控制所述驱动单元导通，所述第二电源与所述记忆电阻之间的电流路径被导通。3.根据权利要求2所述的像素电路，其特征在于，所述驱动单元包括串联的第一晶体管和第二晶体管，所述发光单元连接至所述第一晶体管和所述第二晶体管之间的串联节点，其中，在所述修复模式中所述第一晶体管的控制端接收所述控制单元提供的第一控制电压，所述第二晶体管的控制端接收所述控制单元提供的第二控制电压，对于所述未发生故障的像素电路，所述第一控制电压和所述二控制电压中的至少一个为第一电平，以关断所述第一晶体管和所述第二晶体管中的至少一个，对于所述发生故障的像素电路，所述第一控制电压和所述二控制电压均为第二电平，以导通所述第一晶体管和所述第二晶体管。4.根据权利要求2所述的像素电路，其特征在于，还包括：检测单元，基于光学原理将所述多个像素电路划分为所述未发生故障的像素电路和所述发生故障的像素电路；以及处理单元，将各个所述发生故障的像素电路的坐标位置转换为用于控制所述控制单元的时序信号，其中，在所述修复模式中，所述控制单元基于所述时序信号提供所述第一控制信号和所述第二控制信号，以控制所述驱动单元的开关状态。5.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，在工作模式中，所述第一电源为高电平电压，所述第二电源为低电平电压，对于发生故障的像素电路，所述记忆电阻维持在高阻态。6.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述记忆电阻包括：顶部金属层；底部金属层；以及
位于所述顶部金属层和所述底部金属层之间的氧化层，其中，在所述初始化模式中，所述第一电源和所述第二电源向所述记忆电阻的所述顶部金属层和所述底部金属层提供正向偏压，所述正向偏压大于所述记忆电阻的形成电压，在所述氧化层中形成导电纤维，从而使得所述记忆电阻呈低阻态，在所述修复模式中，所述第一电源和所述第二电源向所述记忆电阻提供反向偏压，从而使得所述记忆电阻呈高阻态。7.一种像素电路的驱动方法，其特征在于，所述像素电路包括串联在第一电源和第二电源之间的记忆电阻和驱动单元、连接至所述驱动单元的控制单元和发光单元，所述驱动方法包括：在初始化模式中，将所述第一电源配置为高电平电压，将所述第二电源配置为低电平电压，使得所述记忆电阻呈低阻态；在修复模式中，将所述第一电源配置为低电平电压，将所述第二电源配置为高电平电压，使得所述记忆电阻呈高阻态，从而切断所述第一电源和所述发光单元之间的电流路径，使得所述发光单元停止发光。8.根据权利要求7所述的驱动方法，其特征在于，还包括：在工作模式中，将所述第一电源配置为高电平电压，将所述第二电源配置为低电平电压，并利用所述控制单元控制所述驱动单元的开关状态，以控制所述发光单元的发光状态，其中，对于发生故障的像素电路，所述记忆电阻维持在高阻态。9.根据权利要求7所述的驱动方法，其特征在于，在多个像素电路进入所述修复模式时，对于未发生故障的像素电路，利用所述控制单元控制所述驱动单元关断，所述第二电源与所述记忆电阻之间的电流路径被关断，对于发生故障的像素电路，利用所述控制单元控制所述驱动单元导通，所述第二电源与所述记忆电阻之间的电流路径被导通。10.一种显示面板，其特征在于，包括多个如权利要求1至6任一项所述的像素电路。
技术总结本申请公开了一种像素电路及其驱动方法、显示面板。该像素电路包括：驱动单元，连接在第一电源和第二电源之间；控制单元，连接至驱动单元，用于控制驱动单元的开关状态；发光单元，经由驱动单元连接至第一电源，发光单元的发光状态至少受控于驱动单元的开关状态；以及记忆电阻，连接在驱动单元和第一电源之间，其中，在初始化模式中，第一电源为高电平电压，第二电源为低电平电压，使得记忆电阻呈低阻态，在修复模式中，第一电源为低电平电压，第二电源为高电平电压，使得记忆电阻呈高阻态，从而切断第一电源和发光单元之间的电流路径，使得发光单元停止发光。该像素电路利用记忆电阻实现了亮点修复，提高了亮点修复的良率、精确度和效率。率。率。
技术研发人员：孙丽娜
受保护的技术使用者：天宜微电子（北京）有限公司
技术研发日：2022.04.07
技术公布日：2022/7/5
