1.本技术涉及半导体相关技术领域，具体涉及一种正装发光二极管和显示装置。
背景技术：2.发光二极管作为光源在照明领域、显示领域已得到迅速发展，尤其是在背光显示领域。近年来，背光显示领域对于显示器件的显示效果提出了更高要求，亚毫米发光二极管（mini led）作为传统发光二极管的改良版本，被迅速推广，其能够明显提升显示器件的显示效果。
3.mini led需具有良好的出光效果，提升其出光效果的方法有两种，一种为mini led的倒装设计，另一种为控制mini led的出光角度，出光角度的大小直接决定mini led的多项光学性能表现。
4.然而mini led的倒装结构成本更高，对下游的显示器件厂商来说是一个限制背光显示器市场的重要因素，因此急需要设计一种相对廉价的且替代性强的发光二极管，既能够满足显示需求，包括亮度、亮度均匀性和可靠性的需求，且能够保证成本更低。
技术实现要素：5.本专利提供一种能降低显示装置的成本的正装发光二极管，并且能够保证显示装置需求的亮度强度以及亮度均匀性，同时能够保证正装的芯片打线可靠性，还能提升制作良率。
6.具体的该正装发光二极管，包括：衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面；半导体堆叠层，形成在所述第一表面上，并用于辐射光线；光学薄膜堆叠层，形成在半导体堆叠层上；所述光学薄膜堆叠层包括第一绝缘性堆叠层，所述第一绝缘性堆叠层包括重复叠置的相对低折射率的第一材料层和相对高折射率的第二材料层，所述的第一绝缘性堆叠层的几何厚度为500~1000 nm。
7.本发明具体的至少能实现如下技术效果：根据本发明的正装发光二极管的第一绝缘性堆叠层设置为合适的几何厚度，可以实现正装大角度出光，保证正面亮度较高的同时，降低光损失；并且能够保证第一绝缘性堆叠层能够稳定的覆盖在电极的上表面保证第一绝缘性堆叠层对电极的覆盖性，同时还能够降低整个芯片的翘曲的风险，提升芯片的制作良率。该芯片结构适用于作为背光显示装置的光源，保证背光显示的光源较高的光均匀性。可替代传统的小尺寸的倒装的发光二极管，可以降低整个背光显示装置的成本。
附图说明
8.为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对
范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
9.图1实施例一的正装发光二极管的俯视结构示意图，其中第一金属电极、第二金属电极在衬底上方。
10.图2实施例一的正装发光二极管的穿过第一金属电极的打线部分的剖面结构示意图。
11.图3为实施例一的正装发光二极管的穿过第一金属电极的扩展条部分的剖面结构示意图。
12.图4为实施例一的正装发光二极管的穿过第一金属电极的打线部分的剖面结构示意图，第一金属电极的打线部分的上方有金球。
13.图5为实施例二的正装发光二极管上的一种第一绝缘性堆叠层的几何厚度关系曲线图。
14.图6为图5第一绝缘性堆叠层各层对应的光学厚度关系曲线图。
15.图7为图5所示的第一绝缘性堆叠层对370~600nm范围内的0~60
°
入射角范围的光的模拟反射率曲线图。
16.图8为图5所示的第一绝缘性堆叠层对370~1090nm范围内的10
°
入射角范围的光的模拟反射率曲线图。
17.图9为实施例三的正装发光二极管的穿过第一金属电极的打线部分的剖面结构示意图。
18.附图标记说明：100衬底；700电流阻挡层；310第一半导体层；800透明导电层；320有源层；900背面反射层；330第二半导体层；901、902通孔；400第一绝缘性堆叠层；500a第一金属电极的打线部分；500第一金属电极；600a第二金属电极的打线部分；600第二金属电极；600b第一金属电极的扩展条部分；510、610内部金属层；520、620外部金属层。
具体实施方式
19.以下通过特定的具体实施例说明本技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点与功效。本技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或营业，本技术中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本技术的精神下进行各种修饰或改变。
20.在本技术的描述中，需要说明的是，术语“上”和“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”和“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
21.实施例一基于现有的小尺寸倒装的发光二极管结构的成本更高，对下游的显示器件厂商来说是一个限制背光显示器市场的重要因素，因此急需要设计一种相对廉价的且替代性强的发光二极管，既能够满足显示需求，包括亮度、亮度均匀性和可靠性的需求，且能够保证成
本更低。
22.因此，本发明提供如下一种能够替代小尺寸倒装的发光二极管结构的正装结构，其能运用于背光显示器市场的光源部分，能够保证亮度均匀性和可靠性的需求，且能够实现芯片的成本更低。
23.正装发光二极管包括：衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面；半导体堆叠层，形成在所述第一表面上，并用于辐射光线；光学薄膜堆叠层，形成在半导体堆叠层上；所述光学薄膜堆叠层包括第一绝缘性堆叠层，所述第一绝缘性堆叠层包括重复叠置的第一材料层和第二材料层，所述的第一绝缘性堆叠层的几何厚度介于500~1000nm。
24.下面结合制作工艺说明本实施例的发光二极管的结构，参见图1~3，所述的该正装发光二极管包括衬底100、半导体堆叠层和第一绝缘性堆叠层400、第一金属电极500、第二金属电极600和背面反射层900。
25.所述的制作工艺包括：首先，选择一衬底100，衬底100为透明衬底，包括但不限于是蓝宝石平底衬底或者蓝宝石图形化衬底，其具有相对设置的第一表面和第二表面。其中，第一表面指的是衬底100的下表面，第二表面指的是衬底100的上表面。本实施例中所述的衬底为第一表面为图形化的蓝宝石衬底。
26.其中，衬底100的几何厚度为80μm以上，较佳的几何厚度是100~200μm。
27.正装芯片的衬底100的长度跟宽度的比例是大于等于2：1，较佳的长度跟宽度的比例不超过4：1。
28.其次，在透明的衬底100上形成半导体发光序列层，半导体堆叠层的几何厚度为3μm~10μm，较佳的，所述的半导体堆叠层整体的几何厚度为3~5μm。
29.半导体堆叠层形成在衬底100的第一表面上，并用于辐射光线。作为一个实施例，所述的正装发光二极管用于液晶显示器（lcd）的背光源，辐射光线的波长范围优选为420nm~480nm，峰值波长介于440nm~455nm之间。
30.半导体堆叠层自上而下(自下而上)包括第一半导体层310、有源层320和第二半导体层330，在本实施例中，第一半导体层310为n型半导体层，第二半导体层330为p型半导体层，有源层320为多层量子阱层。
31.接着，通过蚀刻工艺，例如干法蚀刻工艺去除部分第二半导体层330和有源层320，以露出部分第一半导体层310的表面。
32.然后，制作电流阻挡层700和透明导电层800在第二半导体层330上，电流阻挡层700形成位置与后续形成的第二金属电极600的位置大致一致，用于局部的阻挡第二金属电极600纵向下传输电流，利于电流的水平扩散。电流阻挡层700也可局部地形成在第一半导体层310的表面。电流阻挡层700的几何厚度可以是100~300nm，透明导电层800的几何厚度可以是20~200nm。电流阻挡层700可以是siox，透明导电层800可以是纯ito或者掺杂铝、银的ito。
33.接着，制作第一金属电极500和第二金属电极600分别形成在露出的第一半导体层310表面和第二半导体层330上的透明导电层800上，并且第一金属电极500和第二金属电极600分别接触第一半导体层310和第二半导体层330上的透明导电层800。可通过光罩、显影、
烘烤等工艺形成光刻胶图形作为掩膜图形在局部的第一半导体层310和第二半导体层330上方，然后通过镀膜工艺形成第一金属电极500和第二金属电极600。
34.如图1，所述的第一金属电极500和第二金属电极600分别包括打线部分500a、600a和扩展条部分600b（其中第一金属电极500的扩展条部分图中未显示），金属电极的打线部分通常为圆形或者马蹄形或者多边形或者椭圆形等。为了保证打线的可靠性，第一、第二金属电极的打线部分上表面的宽度一般为30~80微米，扩展条部分具有上表面的宽度为2~5微米。所述的第二金属电极600的打线部分下方的透明导电层800、电流阻挡层700可以被去除，实现第二金属电极600的打线部分下方直接接触第二半导体层330，所述的第二金属电极600的扩展条部分位于透明导电层800上，并且直接接触透明导电层800。
35.第一金属电极500和第二金属电极600最上表面为金打线层或者铝打线层，几何厚度为1~3微米，较佳的是1.5~2.5微米。其中更较佳的是金打线层，金性质稳定，而且硬度比铝更高，更有利于金线的打线牢固。
36.第一金属电极500和第二金属电极600下部具有底层黏附层如铬，利于第一金属电极500和第二金属电极600的附着，几何厚度为1~10nm。底层与打线层之间有反射层如铝，几何厚度为50~200纳米，反射层有利于反射光线。反射层与打线层之间有阻挡层，例如钛、镍、铂或者钛与铂的重复堆叠形成多层或者镍与铂重复堆叠形成多层，阻挡铝跟金的互溶，阻挡层总几何厚度为不超过1微米。
37.第一金属电极和第二金属电极的整体高度是2~5微米。金属电极的逐层的堆叠方式堆叠呈多层，并且上层金属覆盖下层金属的上表面和侧壁，其中侧壁的覆盖不能过宽，否者会导致吸光。金属电极的侧壁是倾斜设置的。
38.接着，形成第一绝缘性堆叠层400附着在第一金属电极500、第二金属电极600的打线部分的上表面和侧壁、扩展条部分的上表面和侧壁，第一绝缘性堆叠层400同时覆盖在半导体堆叠层的上表面上方和侧壁周围。第一绝缘性堆叠层400用做钝化层，包覆住电极的侧壁和半导体堆叠层的上方和侧壁，防止水汽进入发光二极管内部，同时还作为光反射层，能将半导体堆叠层发出的光至少部分的反射回去。
39.所述的第一绝缘性堆叠层400为多层，可包括重复叠置的第一材料层和第二材料层，第一材料层和第二材料层依次交替叠设置，且第一材料层和第二材料层的折射率不同，例如第一绝缘性堆叠层400至少包括布拉格反射层，由此可以实现第一绝缘性堆叠层400具有反射性功能。本实施例中，所述的第一材料层可以是相对低折射率的材料层例如氧化硅，所述的第二材料层可以是相对第一材料层折射率更高的材料层例如氧化钛。其中所述的第一绝缘性堆叠层400可通过镀膜工艺形成，镀膜工艺可以是离子辅助蒸发镀膜、pecvd等镀膜工艺形成。
40.所述的第一绝缘性堆叠层400至少包括第一材料层和第二材料层的重复叠层为3对。所述的第一材料层和第二材料层的总几何厚度至少为500nm。
41.较佳的，所述的第一绝缘性堆叠层400具有至少一层底层为较低反射率的层，相对半导体堆叠层的折射率（2.5以上），该底层折射率更低。所述的底层几何厚度至少为50nm，至多为400nm。例如该层可以是氧化硅层。该层的厚度可以是第一绝缘性堆叠层400的所有层中最厚的一层，由此可以保证水汽的防护。
42.该底层可以采用pecvd的方法或者先用pecvd长一部分几何厚度，用另外一种生长
工艺例如离子辅助蒸发镀膜工艺获得其余几何厚度的该层。采用pecvd方法工艺可有效保证该层致密性，水汽隔离效果好，同时也能保证第一绝缘性堆叠层400在下方的材料层上的附着性。
43.另外，较佳的，第一绝缘性堆叠层400的这层底层的几何厚度不超过400nm，或者不超过300nm，例如250nm，或者200nm，或者100nm，或者80nm。
44.较佳的，该第一材料层和第二材料层的重复对叠层采用离子辅助蒸发镀膜工艺获得，该工艺获得的第一材料层和第二材料层比较致密。
45.然后，第一绝缘性堆叠层400在第一金属电极500、第二金属电极600的打线部分表面上形成通孔901、902，以露出部分第一金属电极500、第二金属电极600的打线部分的上表面，所述的发光二极管被安装在封装装置或者应用端的电路板上时，所述的打线电极露出的上表面能够用于打线电极打线。所述的第一绝缘性堆叠层400的通孔包括底部和顶部，所述的通孔的底部的面积等于露出第一金属电极的打线层的上表面的面积。
46.接着，形成背面反射层900在透明衬底的背面，背面反射层900能够将光反射回衬底，从发光二极管的侧面射出。背面反射层900包括重复叠置的第一材料层21和第二材料层22，第一材料层21和第二材料层22依次交替叠设置，且第一材料层21和第二材料层22的折射率不同，由此第一绝缘性堆叠层400、背面反射层900至少包括布拉格反射层，例如布拉格反射层可以是氧化硅和氧化钛的组合。
47.最后，执行切割工艺分离形成单元化的发光二极管。首先通过激光切割工艺在衬底的内部形成切割爆点，然后通过外力，从第一半导体层的表面上覆盖的第一绝缘性堆叠层400的上表面断裂各层，包括断裂第一绝缘性堆叠层400、半导体堆叠层的第一半导体层310、衬底100和背面反射层900形成单元化的发光二极管。
48.分离后形成的单元化的发光二极管如图2~3所示。其中衬底100的第一表面被第一半导体层301完全覆盖，并且第一半导体层310未被第一金属电极500占据而露出的上表面、发光层320的侧壁、第二半导体层330的侧壁以及上表面上的透明导电层800、第二金属电极600均被第一绝缘性堆叠层400覆盖。
49.第一绝缘层堆叠层400设置具有反射性的多层堆叠层，能够保证正面出光的比例降低，大角度出光的比例提升。越厚的、越多对数的第一材料层和第二材料层能够实现越高的反射性，能对各个角度的光线进行反射。
50.但是较高几何厚度的第一绝缘性堆叠层并不是必须的，因为过厚的第一绝缘性堆叠层会导致形成的打线孔的深度较高，会影响打线掉电极的良率。如图4所示，实际外部打线用的金属线例如金线打线，金属线的一端作用于金属电极打线部分上表面的形状是球型或者接近球型的金球，打线时，金球会同时作用在第一绝缘性堆叠层通孔露出的打线部分的打线层上以及边缘的第一绝缘性堆叠层400上，第一绝缘性堆叠层400的厚度越高，对金属线的金球作用在打线部分的打线层上的作用力分散作用越强，第一绝缘性堆叠层400的通孔的深度导致的高度差，会影响打线牢固性，并且第一绝缘性堆叠层400几何厚度越大，高度差越大，对打线作用力的分散作用越大。
51.因此，为了保证金属电极打线的可靠性，较佳的，根据行业内通用的打线作用力度，所述的第一绝缘性堆叠层400的几何厚度不能超过1微米，较佳的，所述的第一绝缘性堆叠层400的几何厚度介于0.5~1.0微米，例如0.9微米，0.8微米，0.7微米，0.6微米或者0.5微
米。或者所述的第一绝缘性堆叠层400包括的第一材料层和第二材料层的对数不能过多，例如为不超过10对。
52.另外，由于传统的正装发光二极管用的单层二氧化硅保护膜，该层用的是湿法蚀刻形成打线用的通孔，湿法蚀刻发生水平方向和纵向的同步蚀刻过程，湿法蚀刻导致通孔的面积尺寸过大，通孔的底部或者顶部形成超过打线部分的上表面，打线部分的侧壁周围被露出，水汽容易通过打线部分的侧壁周围进入内部而影响发光二极管内部的电性或者金属在水汽条件下发生反应而失效。
53.本发明所述的第一绝缘性堆叠层400采用氧化硅和氧化钛的膜层为重复堆叠层时可采用干法蚀刻工艺形成通孔，干法蚀刻的纵向蚀刻过程能够更好的控制通孔的位置形成在打线部分的上表面，从而保证第一绝缘性堆叠层400能够稳定的附着在打线部分上表面，对金属电极的侧壁部分形成良好的密封性。
54.干法蚀刻工艺形成通孔，可以实现所述的第一绝缘性堆叠层400的通孔的顶部边缘在水平方向距离金属电极（第一金属电极、第二金属电极）的打线部分的上表面边缘至少2微米，至多8微米，由此可以保证第一绝缘层堆叠层在打线部分的上表面边缘的覆盖性和密封性。第一绝缘性堆叠层400的通孔的顶部边缘在水平方向距离金属电极（第一金属电极、第二金属电极）的打线部分的上表面边缘不超过8微米，是为了避免通孔的底部的宽度过窄，影响打线牢固性。
55.较佳的，通孔的底部宽度比顶部宽度小，通孔的侧壁可以是弧形的或者直线型的，通孔的侧壁相对于通孔的底部的倾斜角可以是120
°
以上，干法蚀刻形成的倾斜角通常不会太小，例如120~150
°
之间。
56.在分离形成单元化的发光二极管后，较佳的芯片几何厚度不超过200nm，过厚的芯片并不是必须的，反而会导致吸光。衬底100的第一表面被第一半导体层301完全覆盖，并且第一半导体层310未被第一金属电极500占据而露出的上表面、发光层320的侧壁、第二半导体层330的侧壁以及上表面上的透明导电层800、第二金属电极600均被第一绝缘性堆叠层400覆盖。所述的第一绝缘性堆叠层400需要覆盖第一半导体层的上表面而保护第一半导体层的上表面，第一绝缘性堆叠层400与第一半导体层301的边缘对齐，第一绝缘性堆叠层400位于发光二极管的最上表面，并具有较低的几何厚度，可以避免第一绝缘性堆叠层过厚，因为衬底的长宽比较长的情况下，因为应力作用引起的芯片翘曲、破片，芯片制程良率低的问题。
57.综上，本发明提供的正装发光二极管，相对廉价的且替代性强，既能够满足显示需求，包括亮度、亮度均匀性和可靠性的需求。
58.实施例二在实施例一的基础上，本实施例进一步做如下的改进，所述的第一绝缘性堆叠层400能够实现从发光层辐射的光线的部分能够被反射从发光二极管侧壁出射的同时，也可以部分从第一绝缘性堆叠层400直接辐射出去，从而保证亮度。
59.作为一个实施例，所述的半导体发光叠层具有辐射波段定义为包括430nm~460nm。
60.以垂直于第一绝缘性堆叠层400表面的方向为法线方向，从发光层辐射的430nm~460nm范围内的至第一绝缘性堆叠层400的光线，光线分为小角度范围的光线和大角度范围的光线，小角度范围内的光线定义为第一角度的光线，第一角度优选为0
°
~10
°
，第一绝缘性
堆叠层400对第一角度的光线仍然反射，由此防止正装发光二极管正面漏光，提升大角度出光比例。
61.较佳的，第一绝缘性堆叠层400对第一角度的光线的反射率高于90%。例如所述的第一角度为0
°
或者10
°
。
62.大角度范围内的光线定义为第二角度的光线，第一绝缘性堆叠层400对大角度的光线进行具有低反射率，从而实现至少部分的光线能够透过。例如调整第一绝缘性堆叠层400可对超过30
°
的光线的反射率为相对低的反射率，从而提高倒装发光二极管的光效，降低由于光反射回发光二极管内部导致的光吸收损失。例如，第二角度可选的是40
°
~60
°
或者进一步的40
°
~50
°
、50
°
~60
°
。第一绝缘性堆叠层400对第二角度的至少部分光线的反射率低于90%，或者进一步的低于80%或者低于70%或者低于60%或者低于50%。
63.为了保证部分大角度的光线具有透射效应，所述的第一绝缘性堆叠层400至少对500nm~700nm范围内且角度为0
°
~10
°
范围内的光线具有较低的反射率，具体为低于50%，更佳的低于30%。
64.作为一个实施例，如图7所示，在430~460nm范围内，10
°
角的全部光的反射率是大于等于97%，20
°
角的部分光的反射率是低于97%，但是20
°
角的全部光是大于等于95%，30
°
角的部分光的反射率低于95%，但是30
°
的全部光是大于等于85%，40
°
角的部分光的反射率是低于85%，但是30
°
的全部光大于等于50%，50
°
角的光的反射率是介于40%~90%，60
°
角的光的反射率是介于20% ~60%。
65.为了实现自430nm~460nm波长范围内以小角度出射的光线具有高反射性，以大角度出射的光线具有较高的透射比例，本技术所提出的第一绝缘性堆叠层400的几何厚度堆叠具备如下特点：第一材料层为低折射率材料层，第二材料层为高折射率材料层。
66.第一材料层优选为折射率为1.4~1.5的氧化硅层。
67.第二材料层优选为折射率为2.4~2.6的氧化钛层。
68.较佳的，除了第一层，第一绝缘性堆叠层400的其它层，第一材料层的几何厚度变化范围为50~100nm、第一材料层的光学厚度变化范围为75~140nm。
69.较佳的，除了第一层，第一绝缘性堆叠层400的其它层中，第一材料层为高折射率材料层，第二材料层的几何厚度范围为30~60nm、第二材料层的光学厚度范围为75~140nm。
70.第一绝缘性堆叠层400的顶层，为最远离半导体发光叠层的一层，较佳的，第一绝缘性堆叠层400具有的顶层为低折射率材料层，其为第一材料层。第一材料层优选的为氧化硅层。
71.所述的第一绝缘性堆叠层400的对数为至少3对（包括底层和顶层），对于430~460nm范围的且位于0~10
°
角范围的光，1对或者2对的反射率过低，低于90%，过低的反射率导致发光二极管的正上方的光过强，发光不均匀，当对数为3对，可实现对于430~460nm范围的且位于0~10
°
角范围的光具有高于90%的反射率。较佳的，为了防止第一绝缘性堆叠层400过厚，所述的第一绝缘性堆叠层400的对数至多为10对。，更佳的为5~8对，可以保证430~460nm范围内的0~30
°
的光能有85%以上的反射率，过多的对数，会导致更多的小角度的光反射，亮度相对降低。
72.与传统分布式布拉格反射层相比，采用上述第一绝缘性堆叠层400的光学薄膜堆
叠层对半导体堆叠层的小角度出光具有较大反射率，对半导体堆叠层的大角度出光具有较小反射率，保证倒装发光二极管具有更高的亮度。
73.图5所示的是一种示范性的实施方式，第一绝缘性堆叠层具有相应几何厚度的第一材料层和第二材料层，并且在发光二极管上表面依次重复堆叠形成，通过以氮化镓为入射介质模拟获得的如图7所示的370~600nm范围内的各个角度入射至第一绝缘性堆叠层的反射率值，以及如图8所示的370~1090nm范围内的10
°
入射至第一绝缘性堆叠层的反射值，图6所示的是图5第一绝缘性堆叠层的各层的光学厚度。
74.此外，所述的衬底100第二表面侧还设置有背面反射层900，背面反射层900对于从发光二极管内部射向背面反射层900的光进行高反射率的反射，较佳的，对于400~700nm范围内的任意波长值的光，并且以0~10
°
射至第一绝缘性堆叠层400的光的反射率高于90%。
75.背面反射层900的几何厚度大于等于第一绝缘性堆叠层400的几何厚度的至少2倍，几何厚度相较于第一绝缘性堆叠层400的几何厚度厚，能以更高的反射率反射半导体发光叠层通过透明衬底到达其表面和内部的光，从而实现提高光效率。
76.背面反射层900的对数比第一绝缘性堆叠层400的重复堆叠对数更高，背面反射层的对数为第一反射性堆叠层的重复堆叠对数的两倍以上，例如背面反射层900叠层为15对以上，并且较佳的，所述的背面反射层400的几何厚度为第一绝缘性反射层的几何厚度的4倍以上，具体的为几何厚度为3微米以上，6微米以下。
77.实施例三为了进一步加强保护，防止金属线打线力作用在第一绝缘性堆叠层400的表面导致其破裂，如图9本实施例进一步提出将第一金属电极和第二金属电极拆分形成内部金属层510、610和外部金属层520、620，内部金属层510、610位于第一绝缘性堆叠层400的通孔下方，并且第一绝缘性堆叠层400的通孔的底部位于内部金属层510、610的上表面，而外部金属层520、620形成在第一绝缘性堆叠层400上，并且通过通孔底部位于所述的内部金属层510、610上。内部金属层510、610包括由下至上包括黏附层、反射层，以及阻挡层，外部金属层520、620包括打线层，并且外部金属层520、620可一进步包括底层黏附层，如钛，用于提升打线层在第一绝缘性堆叠层400的表面的附着性。
78.实施例四本发明提供一种显示装置，该显示装置包括背光光源部分，背光光源包括电路基板，例如cob板或者cog板等，所述的电路基板上安装有本发明提供的发光二极管，发光二极管通过正装的打线方式固定在电路板上。所述的电路基板上包括数百颗、或者数千颗或者数万颗发光二极管。
79.所述的显示装置还包括荧光材料，例如荧光粉、或者量子点（qd）材料实现荧光转换二次发光。
80.所述的显示装置为电视或者mnt或者电脑或者笔记本等背光显示装置。
81.上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
技术特征：1.一种正装发光二极管，其包括：衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面；半导体堆叠层，形成在所述第一表面上，并用于辐射光线；光学薄膜堆叠层，形成在半导体堆叠层上；所述光学薄膜堆叠层包括第一绝缘性堆叠层，所述第一绝缘性堆叠层包括重复叠置的相对低折射率的第一材料层和相对高折射率的第二材料层，所述的第一绝缘性堆叠层的几何厚度为500~1000 nm。2.根据权利要求1所述的正装发光二极管，其特征在于：进一步包括第一金属电极和第二金属电极在所述的半导体堆叠层上，所述的第一金属电极和第二金属电极分别包括打线部分；所述的第一绝缘性堆叠层同时覆盖在第一金属电极和第二金属电极的上表面上，并且在第一金属电极和第二金属电极打线部分的上表面上设置有通孔，露出第一金属电极和第二金属电极的打线部分的部分上表面。3.根据权利要求2所述的正装发光二极管，其特征在于：所述通孔的侧壁包括底部和顶部，其中通孔的侧壁顶部边缘与所述的第一金属电极或第二金属电极的打线部分上表面的边缘水平距离至少为2微米，至多10微米。4.根据权利要求1所述的正装发光二极管，其特征在于：所述第一绝缘性堆叠层对于430nm~460nm范围内的任一波长的且入射角为第一角度的光线进行反射，所述的第一角度为0~10
°
，且反射率为高于90%。5.根据权利要求4所述的正装发光二极管，其特征在于：第一绝缘性堆叠层对500~700nm围内的任一波长的0~10
°
角内的光的反射率低于50%。6.根据权利要求1所述的正装发光二极管，其特征在于：所述的第一绝缘性堆叠层包括重复叠置的第一材料层和第二材料层的对数为3~10对。7.根据权利要求1所述的正装发光二极管，其特征在于：根据权利要求1所述的正装发光二极管，其特征在于：所述第一绝缘性堆叠层具有底层，底层的几何厚度不超过80~400nm。8.根据权利要求1所述的正装发光二极管，其特征在于：第一绝缘性堆叠层的第一材料层为低折射率材料层，几何厚度为50~100nm；第二材料层为高折射率材料层，几何厚度为30~60nm。9.根据权利要求1所述的正装发光二极管，其特征在于：所述的衬底的第二表面上有背面反射层，第二膜组包括重复叠置的第一材料层和第二材料层，背面反射层的几何厚度高于第一绝缘性堆叠层的几何厚度，背面反射层的重复叠置的第一材料层和第二材料层的对数高于第一绝缘性堆叠层的第一材料层和第二材料层的对数。10.根据权利要求1所述的正装发光二极管，其特征在于：所述的背面反射层对400~650nm波长范围的并且以0~10
°
角入射的光的反射率是90%以上。11.根据权利要求9所述的正装发光二极管，其特征在于：背面反射层的几何厚度为所述的半导体堆叠层上的第一绝缘性堆叠层的几何厚度的2倍以上。12.根据权利要求9所述的正装发光二极管，其特征在于：背面反射层的几何厚度为3~6微米，包括重复叠置的第一材料层和第二材料层的对数为15对以上。13.根据权利要求9所述的正装发光二极管，其特征在于：所述的半导体堆叠层上的背
面反射层的层数为30~60层。14.根据权利要求1所述的正装发光二极管，其特征在于：所述的衬底的厚度尺寸为80微米以上。15.根据权利要求1所述的正装发光二极管，其特征在于：进一步包括第一金属电极和第二金属电极在所述的半导体堆叠层上，所述的第一金属电极和第二金属电极分别包括打线部分；打线部分包括内部金属层位于第一绝缘性堆叠层之下，包括外部金属层位于第一绝缘性堆叠层之上。16.根据权利要求1所述的正装发光二极管，其特征在于：半导体堆叠层由下至上包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，第一绝缘性堆叠层的边缘与第一半导体层的边缘对齐。17.根据权利要求16所述的正装发光二极管，其特征在于：正装发光发光二极管的衬底的长度跟宽度的比例是大于等于2：1。18.一种显示装置，其包括权利要求1~17任一项的所述的正装发光二极管，并且正装发光二极管的数量为百颗以上。
技术总结正装发光二极管，包括衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面；半导体堆叠层，形成在所述第一表面上，并用于辐射光线；光学薄膜堆叠层，形成在半导体堆叠层上；所述光学薄膜堆叠层包括第一绝缘性堆叠层，所述第一绝缘性堆叠层包括重复叠置的相对低折射率的第一材料层和相对高折射率的第二材料层，所述的第一绝缘性堆叠层的几何厚度为500~1000 nm，可作为背光显示装置的光源，保证背光显示的光源较高的光均匀性。可替代传统的小尺寸的倒装的发光二极管，可以降低整个背光显示装置的成本。可以降低整个背光显示装置的成本。可以降低整个背光显示装置的成本。
技术研发人员：王庆 王绘凝 夏宏伟 刘鹏 卢超 洪灵愿 张中英
受保护的技术使用者：厦门三安光电有限公司
技术研发日：2022.04.21
技术公布日：2022/7/5
