1.本技术涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法与显示装置。
背景技术：2.现有的显示面板中包括一阵列基板，其由一定数量的像素阵列构成，每个像素由一个薄膜晶体管进行控制以显示图像，其中薄膜晶体管中包括金属走线，目前，通常采用铜作为金属走线的材料，一方面，铜的电阻较小，有利于降低显示面板的功耗，另一方面，又由于铜具有较小电阻，可采用较细的金属布线，膜厚也可以做的比较薄，因此，有利于提高显示面板开口率，且降低制造成本。
3.金属走线通常会通过绝缘层的过孔与上层的电极层进行搭接，而在蚀刻形成过孔的过程中，为保证面内各区域的过孔均刻透，通常会进行一定的过刻，而铜的金属活性高，在过刻的过程中，金属走线对应过孔区域的表面会受到等离子体的轰击，表面发生氧化并形成小坑，使得金属走线与上层的电极层间的接触电阻增大，从而导致信号弱或充电不足，进而导致显示面板出现显示不良。
技术实现要素：4.本发明提供一种显示面板及其制备方法与显示装置，可解决在蚀刻形成钝化层过孔的过程中易导致下层的金属层表面受损从而引起显示不良的技术问题。
5.为解决上述问题，第一方面，本发明提供一种显示面板，所述显示面板包括：
6.基板；
7.金属层，设置于所述基板上；
8.绝缘层，设置于所述金属层上，包括多个间隔设置的过孔；
9.电极层，设置于所述绝缘层上；
10.其中，所述金属层与所述绝缘层之间设置有蚀刻阻挡层，且所述蚀刻阻挡层的材料为导电材料，所述蚀刻阻挡层包括对应多个所述过孔设置的蚀刻阻挡部，所述电极层设置于所述过孔内并通过所述蚀刻阻挡部与所述金属层电性连接。
11.在本发明一实施例所提供的显示面板中，所述金属层包括第一金属层与第二金属层，所述绝缘层包括第一绝缘层与第二绝缘层，所述显示面板还包括有源层；
12.所述第一金属层设置于所述基板上；
13.所述第一绝缘层设置于所述第一金属层上；
14.所述有源层设置于所述第一绝缘层上；
15.所述第二金属层设置于所述有源层上；
16.所述第二绝缘层设置于所述第二金属层上；
17.所述电极层设置于所述第二绝缘层；
18.多个所述过孔包括贯穿设置于所述第一绝缘层的多个第一过孔与贯穿设置于所述第一绝缘层以及所述第二绝缘层的多个第二过孔；
19.其中，所述蚀刻阻挡层包括设置于所述第一金属层与所述第一绝缘层之间的第一蚀刻阻挡层，和/或设置于所述第二金属层与所述第二绝缘层之间的第二蚀刻阻挡层，所述第一蚀刻阻挡层包括对应多个所述第一过孔设置的第一蚀刻阻挡部，所述电极层设置于所述第一过孔内并通过所述第一蚀刻阻挡部与所述第一金属层电性连接，所述第二蚀刻阻挡层包括对应多个所述第二过孔设置的第二蚀刻阻挡部，所述电极层设置于所述第二过孔内并通过所述第二蚀刻阻挡部与所述第二金属层电性连接。
20.在本发明一实施例所提供的显示面板中，所述第一金属层包括栅极与屏蔽电极线，所述电极层包括屏蔽电极，所述屏蔽电极线上设置有所述第一蚀刻阻挡部，所述屏蔽电极通过所述第一蚀刻阻挡部与所述屏蔽电极线电性连接。
21.在本发明一实施例所提供的显示面板中，所述第二金属层包括源极与漏极，所述电极层包括像素电极，所述漏极上设置有所述第二蚀刻阻挡部，所述像素电极通过所述第二蚀刻阻挡部与所述漏极电性连接。
22.在本发明一实施例所提供的显示面板中，所述金属层的材料包括铜。
23.在本发明一实施例所提供的显示面板中，一所述蚀刻阻挡部在所述基板上的正投影覆盖对应的所述过孔在所述基板上的正投影。
24.在本发明一实施例所提供的显示面板中，所述蚀刻阻挡层的材料选自氧化铟锡与氧化铟镓锌。
25.在本发明一实施例所提供的显示面板中，所述蚀刻阻挡层的厚度大于或等于10埃。
26.第二方面，本发明还提供了一种显示面板的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
27.s10：提供一基板，在所述基板上形成金属层，在所述金属层上形成蚀刻阻挡层，所述蚀刻阻挡层的材料为导电材料，所述蚀刻阻挡层包括多个间隔设置的蚀刻阻挡部；
28.s20：在所述金属层与所述蚀刻阻挡层上形成绝缘层，所述绝缘层包括与多个所述蚀刻阻挡部对应设置的多个过孔；
29.s30：在所述绝缘层上形成电极层，所述电极层设置于所述过孔内并通过所述蚀刻阻挡部与所述金属层电性连接。
30.第三方面，本发明还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述的显示面板。
31.有益效果：本发明提供了一种显示面板及其制备方法与显示装置，所述显示面板包括金属层、绝缘层与电极层，所述绝缘层中设置有过孔，通过在所述金属层与所述绝缘层之间对应所述过孔的区域设置蚀刻阻挡层，从而避免在蚀刻形成所述过孔的过程中，导致金属层对应所述过孔区域的表面被等离子体轰击而受损，又由于所述蚀刻阻挡层的材料为导电材料，不会影响所述金属层与上述电极层的电性连接，解决了因金属层表面在过孔蚀刻的过程中受损而导致显示不良的问题。
附图说明
32.为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附
图。
33.图1是本发明实施例提供的一种显示面板的截面结构示意图；
34.图2是本发明实施例提供的另一种显示面板的截面结构示意图；
35.图3是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的文字流程示意图；
36.图4a-4g是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的结构流程示意图。
具体实施方式
37.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
38.在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
39.在本技术中，“示例性”一词用来表示“用作例子、例证或说明”。本技术中被描述为“示例性”的任何实施例不一定被解释为比其它实施例更优选或更具优势。为了使本领域任何技术人员能够实现和使用本发明，给出了以下描述。在以下描述中，为了解释的目的而列出了细节。应当明白的是，本领域普通技术人员可以认识到，在不使用这些特定细节的情况下也可以实现本发明。在其它实例中，不会对公知的结构和过程进行详细阐述，以避免不必要的细节使本发明的描述变得晦涩。因此，本发明并非旨在限于所示的实施例，而是与符合本技术所公开的原理和特征的最广范围相一致。
40.本发明实施例提供一种显示面板，以下结合图1示出的该显示面板的截面结构示意图进行描述：
41.所述显示面板包括基板100、金属层200、绝缘层300以及电极层400；
42.其中，所述金属层200设置于所述基板100上，所述金属层200可以为显示面板中任意的金属层，例如可以为常规显示面板中通常设置的栅极金属层或源漏极金属层；
43.所述绝缘层300设置于所述金属层200上，包括多个间隔设置的过孔h(图中示例性地示出了一个)，所述绝缘层300通常为氧化硅薄膜、氮化硅薄膜或氧化硅薄膜与氮化硅薄膜堆叠而成的复合薄膜；
44.所述电极层400设置于所述绝缘层300上，为显示面板中任意一需要与所述金属层200进行连接而进行信号传输的膜层；
45.进一步地，所述金属层200与所述绝缘层300之间设置有蚀刻阻挡层500，且所述蚀刻阻挡层500的材料为导电材料，所述蚀刻阻挡层500包括对应多个所述过孔h设置的蚀刻阻挡部500a(图中示例性地示出了一个)，所述电极层400设置于所述过孔h内并通过所述蚀
刻阻挡部500a与所述金属层200电性连接；
46.在本实施例所提供的显示面板中，通过在所述金属层200与所述绝缘层300之间对应所述过孔h的区域设置所述蚀刻阻挡层500，从而避免在蚀刻形成所述过孔h的过程中所述金属层200对应所述过孔区域h裸露的表面被等离子体轰击而发生氧化或形成微观凹坑等损伤的不良出现，又由于所述蚀刻阻挡层的材料为导电材料，不会影响所述金属层与上述电极层的电性连接，解决了因金属层表面在过孔蚀刻的过程中受损而导致显示不良的问题。
47.需要说明的是，上述显示面板实施例中仅描述了与本技术技术方案改进点相关的结构，可以理解的是，除了上述结构之外，本发明实施例显示面板中，还可以根据需要包括任何其他的必要结构，具体此处不作限定。
48.在一些实施例中，请参阅图2，所述金属层200包括第一金属层210与第二金属层220，所述绝缘层300包括第一绝缘层310与第二绝缘层320，所述显示面板还包括有源层600；
49.所述第一金属层210设置于所述基板100上；
50.所述第一绝缘层310设置于所述第一金属层210上；
51.所述有源层600设置于所述第一绝缘层310上；
52.所述第二金属层220设置于所述有源层600上；
53.所述第二绝缘层320设置于所述第二金属层220上；
54.所述电极层400设置于所述第二绝缘层320；
55.多个所述过孔包括贯穿设置于所述第一绝缘层310的多个第一过孔h1与贯穿设置于所述第一绝缘层310以及所述第二绝缘层320的多个第二过孔h2；
56.其中，所述蚀刻阻挡层包括设置于所述第一金属层210与所述第一绝缘层310之间的第一蚀刻阻挡层510，和/或设置于所述第二金属层220与所述第二绝缘层之间320的第二蚀刻阻挡层520，所述第一蚀刻阻挡层510包括对应多个所述第一过孔h1设置的第一蚀刻阻挡部510a，所述电极层400设置于所述第一过孔h1内并通过所述第一蚀刻阻挡部510a与所述第一金属层210电性连接，所述第二蚀刻阻挡层520包括对应多个所述第二过孔h2设置的第二蚀刻阻挡部520a，所述电极层400设置于所述第二过孔h2内并通过所述第二蚀刻阻挡部520a与所述第二金属层220电性连接。
57.进一步地，所述第一金属层210为栅极金属层，包括栅极211与屏蔽电极线212，所述电极层400包括屏蔽电极410，所述屏蔽电极线212上设置有所述第一蚀刻阻挡部510a，所述屏蔽电极410通过所述第一蚀刻阻挡部510a与所述屏蔽电极线212电性连接，其中，所述屏蔽电极线212未设置于所述显示面板相邻像素区之间的电极，用于替代黑色矩阵进行遮光，同时屏蔽下侧的走线信号，所述屏蔽电极线212用于向所述屏蔽电极410提供所需的电压；
58.所述第二金属层220包括源极221与漏极222，所述电极层400包括像素电极420，所述漏极222上设置有所述第二蚀刻阻挡部520a，所述像素电极420通过所述第二蚀刻阻挡部520a与所述漏极222电性连接。
59.补充说明的是，除了上述区域设置有所述蚀刻阻挡部以外，所述第一金属层与所述第二金属层与该电极层或其他的电极层通过绝缘层过孔进行连接的区域均可设置所述
蚀刻阻挡部，所述第一金属层与所述第二金属层之间通过绝缘层过孔进行连接的区域亦可设置所述蚀刻阻挡部，甚至是第一金属层中的公共电极线与彩膜基板的公共电极连接的位置亦可设置所述蚀刻阻挡部，本发明对此不作特殊限定；
60.另外，上述实施例示例性的以一底栅型显示面板对所述蚀刻阻挡层的设置方式进行了详细说明，根据实际工艺需求，所述显示面板也可以为顶栅型显示面板；
61.以及，所述显示面板包括但不限于液晶显示面板与oled显示面板。
62.在本发明一实施例所提供的显示面板中，所述金属层200的材料包括铜，即金属层200的材料为铜或铜合金，使得所述金属层200具有较低的电阻，有利于降低所述显示面板的功耗，同时，又由于所述蚀刻阻挡层500的设置，所述金属层200在蚀刻形成所述过孔h的过程中，不会因受到等离子体的轰击而受到损伤。
63.在本发明一实施例所提供的显示面板中，一所述蚀刻阻挡部500a在所述基板100上的正投影覆盖对应的所述过孔h在所述基板100上的正投影，即所述蚀刻阻挡部500a将对应的所述过孔h的底部完全覆盖，从未保证最佳的蚀刻阻挡的效果。
64.在本发明一实施例所提供的显示面板中，所述蚀刻阻挡层500的材料选自氧化铟锡与氧化铟镓锌等金属氧化物导电材料，此类材料不容易因等离子体的轰击而受损，从而具有较好的阻挡等离子的效果，同时具有优良的导电效果，使得所述电极层400与所述金属层的接触电阻仍保持在较低的水平。
65.在本发明一实施例所提供的显示面板中，所述蚀刻阻挡层500的厚度大于或等于10埃，即可起到阻挡等离子体轰击至下层的所述金属层200的作用，当然，所述蚀刻阻挡层500的厚度也不宜过厚，以免造成不必要的制造成本的浪费。
66.第二方面，本发明还提供了上述实施例所提供的显示面板的制备方法，如下结合图3与图4a-4g进行详述：
67.所述制备方法包括如下步骤：
68.s10：参见图4e，提供一基板100，在所述基板100上形成金属层200，在所述金属层200上形成蚀刻阻挡层500，所述蚀刻阻挡层500的材料为导电材料，所述蚀刻阻挡层500包括多个间隔设置的蚀刻阻挡部500a(图中示例性地示出了一个)；
69.s20：参见图4f，在所述金属层200与所述蚀刻阻挡层500上形成绝缘层300，所述绝缘层300包括与多个所述蚀刻阻挡部500a对应设置的多个过孔h(图中示例性地示出了一个)；
70.s30：参见图4g，在所述绝缘层300上形成电极层400，所述电极层400设置于所述过孔h内并通过所述蚀刻阻挡部500a与所述金属层200电性连接。
71.在本实施例提供的显示面板的制备方法中，由于在形成所述绝缘层300之前，在所述绝缘层300中所述过孔h的预设位置预先形成所述蚀刻阻挡部500a，从而有效避免了在蚀刻形成所述过孔h的过程中所述金属层200对应所述过孔区域h裸露的表面被等离子体轰击而发生氧化或形成微观凹坑等损伤的不良出现，又由于所述蚀刻阻挡层的材料为导电材料，不会影响所述金属层与上述电极层的电性连接，解决了因金属层表面在过孔蚀刻的过程中受损而导致显示不良的问题。
72.进一步地，在一些实施例中，在所述步骤s10中，所述金属层与所述蚀刻阻挡层由半色调掩膜板经一次曝光工序形成，具体见如下描述：
73.参见图4a，在所述基板上形成金属薄膜200a，在所述金属薄膜200a形成第一蚀刻阻挡薄膜500b；
74.参见图4b，使用半色调掩膜板，通过曝光显影工艺，在所述第一蚀刻阻挡薄膜500b上形成第一光阻710，所述第一光阻710包括厚度不同的两个部分；
75.参见图4c，在所述第一光阻的710的遮挡下，依次对所述第一蚀刻阻挡薄膜500b以及所述金属薄膜200a进行蚀刻，形成第二蚀刻阻挡薄膜500c与所述金属层200；
76.参见图4d，将所述第一光阻的710减薄至厚度较薄的部分完全被去除，即形成第二光阻720，在所述第二光阻720的遮挡下，对所述第二蚀刻阻挡薄膜500c进行蚀刻形成所述蚀刻阻挡层500，并剥离所述第二光阻720，即形成图4e所示的结构。
77.在本实施例中，通过使用半色调掩膜板，使得所述金属层200与所述蚀刻阻挡层500仅由一次曝光工序形成，从而节省了显示面板的制备工序与制备成本。
78.本发明还另一实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述实施例所提供的显示面板，所述显示装置包括但不限于手机、智能手表、平板电脑。笔记本电脑与电视机等。
79.以上对本发明实施例所提供的一种显示面板及其制备方法与显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
技术特征：1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：基板；金属层，设置于所述基板上；绝缘层，设置于所述金属层上，包括多个间隔设置的过孔；电极层，设置于所述绝缘层上；其中，所述金属层与所述绝缘层之间设置有蚀刻阻挡层，且所述蚀刻阻挡层的材料为导电材料，所述蚀刻阻挡层包括对应多个所述过孔设置的蚀刻阻挡部，所述电极层设置于所述过孔内并通过所述蚀刻阻挡部与所述金属层电性连接。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述金属层包括第一金属层与第二金属层，所述绝缘层包括第一绝缘层与第二绝缘层，所述显示面板还包括有源层；所述第一金属层设置于所述基板上；所述第一绝缘层设置于所述第一金属层上；所述有源层设置于所述第一绝缘层上；所述第二金属层设置于所述有源层上；所述第二绝缘层设置于所述第二金属层上；所述电极层设置于所述第二绝缘层；多个所述过孔包括贯穿设置于所述第一绝缘层的多个第一过孔与贯穿设置于所述第一绝缘层以及所述第二绝缘层的多个第二过孔；其中，所述蚀刻阻挡层包括设置于所述第一金属层与所述第一绝缘层之间的第一蚀刻阻挡层，和/或设置于所述第二金属层与所述第二绝缘层之间的第二蚀刻阻挡层，所述第一蚀刻阻挡层包括对应多个所述第一过孔设置的第一蚀刻阻挡部，所述电极层设置于所述第一过孔内并通过所述第一蚀刻阻挡部与所述第一金属层电性连接，所述第二蚀刻阻挡层包括对应多个所述第二过孔设置的第二蚀刻阻挡部，所述电极层设置于所述第二过孔内并通过所述第二蚀刻阻挡部与所述第二金属层电性连接。3.根据权利要求2所述的显示面板，所述第一金属层包括栅极与屏蔽电极线，所述电极层包括屏蔽电极，所述屏蔽电极线上设置有所述第一蚀刻阻挡部，所述屏蔽电极通过所述第一蚀刻阻挡部与所述屏蔽电极线电性连接。4.根据权利要求2所述的显示面板，所述第二金属层包括源极与漏极，所述电极层包括像素电极，所述漏极上设置有所述第二蚀刻阻挡部，所述像素电极通过所述第二蚀刻阻挡部与所述漏极电性连接。5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述金属层的材料包括铜。6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，一所述蚀刻阻挡部在所述基板上的正投影覆盖对应的所述过孔在所述基板上的正投影。7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述蚀刻阻挡层的材料选自氧化铟锡与氧化铟镓锌。8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述蚀刻阻挡层的厚度大于或等于10埃。9.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：s10：提供一基板，在所述基板上形成金属层，在所述金属层上形成蚀刻阻挡层，所述蚀
刻阻挡层的材料为导电材料，所述蚀刻阻挡层包括多个间隔设置的蚀刻阻挡部；s20：在所述金属层与所述蚀刻阻挡层上形成绝缘层，所述绝缘层包括与多个所述蚀刻阻挡部对应设置的多个过孔；s30：在所述绝缘层上形成电极层，所述电极层设置于所述过孔内并通过所述蚀刻阻挡部与所述金属层电性连接。10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1-8任意一项所述的显示面板。
技术总结本发明提供了一种显示面板及其制备方法与显示装置，所述显示面板包括基板、金属层、绝缘层、电极层，所述金属层与所述绝缘层之间设置有蚀刻阻挡层，且所述蚀刻阻挡层的材料为导电材料，所述蚀刻阻挡层包括对应所述绝缘层中的过孔设置的蚀刻阻挡部，所述电极层设置于所述过孔内并通过所述蚀刻阻挡部与所述金属层电性连接，通过在所述金属层与所述绝缘层之间对应所述过孔的区域设置蚀刻阻挡层，从而避免在蚀刻形成所述过孔的过程中，导致金属层对应所述过孔区域的表面被等离子体轰击而受损，又由于所述蚀刻阻挡层的材料为导电材料，不会影响所述金属层与上述电极层的电性连接，解决了因金属层表面在过孔蚀刻的过程中受损而导致显示不良的问题。显示不良的问题。显示不良的问题。
技术研发人员：陈艳玲
受保护的技术使用者：TCL华星光电技术有限公司
技术研发日：2022.03.29
技术公布日：2022/7/5
