1.本技术涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板、阵列基板制作方法及显示装置。
背景技术：2.发光二极管(micro led)显示是新一代显示技术，比现有的有机发光二极管(oled)显示技术亮度更高、发光效率更好、功耗更低。目前mled以及mini-led技术中需转移的灯珠数量巨大，转移时容易导致水平方向以及垂直方向的角度不一致性导致出光不均匀进而影响显示效果。
技术实现要素：3.本技术实施例提供一种阵列基板、阵列基板制作方法及显示装置，在阵列基板预先形成图案化修正层，将发光二极管转移到阵列基板上时修正层可对mled进行修正，避免发光二极管在转移后，水平方向和垂直方向的角度不均匀，进而影响发光均匀性。
4.第一方面，本技术实施例提供一种阵列基板，包括：
5.基板；
6.修正层，设于所述基板上，所述修正层包括阵列排布的多个修正块，所述修正块的多个截面中最大面积的截面设于所述修正块远离所述基板的一侧，所述多个截面平行于所述基板和所述修正块的接触面。
7.在一些实施例中，所述修正块平行于所述基板的截面的面积随远离所述基板而增大。
8.在一些实施例中，所述修正块的侧面与所述基板垂直，所述侧面为所述修正块与所述基板相交的端面。
9.在一些实施例中，所述修正块的厚度小于等于待放入的发光二极管的厚度，所述厚度方向为所述基板法向。
10.在一些实施例中，所述阵列基板还包括金属层，所述金属层包含至少一个金属块，所述金属块设于相邻的所述修正块之间的所述基板上，所述金属层用于与发光二极管电连接。
11.在一些实施例中，所述修正块在所述基板的投影与所述金属块在所述基板的投影之间不相交。
12.在一些实施例中，所述修正块设为感光阻焊油墨。
13.第二方面，本技术提供一种阵列基板制作方法，包括：
14.提供基板；
15.在所述基板上沉积修正层，并蚀刻出图形得到阵列排布的修正块，所述修正块平行于所述基板的各截面中，最大面积的所述截面设于所述修正块远离所述基板的一侧。
16.在一些实施例中，所述在所述基板上沉积修正层，并蚀刻出图形得到阵列排布的
修正块，包括：
17.在所述基板上沉积修正层；
18.获取曝光参数；
19.根据所述曝光参数在所述修正层上蚀刻出图形得到阵列排布的修正块。
20.在一些实施例中，所述在所述基板上沉积修正层，并蚀刻出图形得到阵列排布的修正块之后，包括：
21.在所述基板上沉积金属层，所述金属层包含至少一个金属块，所述金属块设于相邻的修正块之间的基板上。
22.第三方面，本技术提供一种显示装置，所述显示装置包括发光二极管和上述任意一项所述的阵列基板，所述发光二极管设于所述阵列基板上。
23.本技术实施例提供的阵列基板、阵列基板制作方法及显示装置，在阵列基板预先形成图案化修正层得到阵列排布的修正块，阵列基板用于接收转移的发光二极管得到显示装置，在显示装置中发光二极管设于相邻的修正块之间的基板上，在二极管准仪过程中相邻的修正块之间的开口能够对发光二极管进行定位，避免发光二极管在转移后，水平方向和垂直方向的角度不均匀，进而影响发光均匀性。
附图说明
24.下面结合附图，通过对本技术的具体实施方式详细描述，将使本技术的技术方案及其它有益效果显而易见。
25.图1是本技术一实施例中阵列基板的正视图；
26.图2是本技术一实施例中阵列基板的俯视图；
27.图3是本技术一实施例中转移发光二极管时的正视图；
28.图4是本技术一实施例中转移发光二极管之后的正视图；
29.图5是本技术一实施例中转移发光二极管之后的俯视图；
30.图6是本技术一实施例中阵列基板制作方法的流程示意图。
31.附图标号：
32.1、基板；2、修正层；21、修正块；3、金属层；31、金属块；4、发光二极管。
具体实施方式
33.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
34.在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。
由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
35.在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
36.在本技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
37.下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本技术的不同结构。为了简化本技术的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本技术。此外，本技术可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本技术提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
38.请参阅图1至图5，本技术实施例提供一种阵列基板，阵列基板包括基板1和修正层2，修正层2设于基板1上，将发光二极管4转移到阵列基板上时修正层2可对mled进行修正，避免发光二极管4在转移后，水平方向和垂直方向的角度不均匀，进而影响发光均匀性。
39.其中，修正层2包括阵列排布的多个修正块21，各个修正块21之间互不连接，相邻的修正块21之间暴露基板1的一部分。其中，修正块21阵列排布的方式以及间距都是基于待转移的发光二级光的分布情况决定，本实施例不作具体限制。也就是说，可以通过图案化修正层2得到不同方式阵列排布的修正块21，以匹配修正不同尺寸的发光二极管4。
40.此外，修正块21平行于基板1和修正块21的接触面的多个截面中，最大面积的截面设于修正块21远离基板1的一侧。如图3和图4所示，最大面积的截面处即为修正块21外轮廓最大的地方，当将发光二极管4转移到基板1上时，发光二极管4刚好抵接修正块21外轮廓最大的地方也就是最大面积的截面处。需要说明的是，与修正块21外轮廓最大的地方直接抵接的可能是发光二极管4，也可能是在转移过程中支撑固定发光二极管4的某个部件，只需要确保卡入修正块21之间的部件不会发生水平方向和垂直方向的偏转即可。
41.其中，最大面积的截面不同方向的长度决定相邻修正块21之间的最小间距，进而决定能够被放入的发光二极管4的大小，因此，根据待转移的发光二极管4的尺寸确定最大面积的截面的尺寸，例如图4中所示的l，以匹配不同尺寸的发光二极管4。
42.修正层2可以是感光阻焊油墨，在后烘烤前具有一定的流动性。一方面转移发光二极管4时可使用白色阻焊油墨充当修正层2，提高反射率，降低光损耗。另一方面转移发光二极管4时可以使用黑色阻焊油墨充当修正层2，提高对比度。
43.相邻的修正块21之间互不接触，也就是相邻的修正块21之间存在开口，通过设置
修正块21的参数确定相邻的修正块21之间的开口的位置以及距离，进而对转移过程中放入到开口中的发光二极管4进行定位，避免位置出现偏差。
44.本实施例中在阵列基板预先形成图案化修正层2，将发光二极管4转移到阵列基板上时修正层2可对mled进行修正，且可以通过图案化修正层2以匹配不同尺寸的发光二极管4，避免发光二极管4在水平方向和垂直方向的角度不均匀进而影响发光均匀性。
45.在一个实施例中，修正块21平行于基板1的截面的面积随远离基板1而增大，最大面积的截面设于修正块21远离基板1的一侧，修正块21与基板1相交的端面与基板1的法向之间存在夹角，例如图4中所示的θ。也就是说，相比于顶部，修正块21与基板1连接的底部向内收缩了一部分。因此，将转移的发光二极管4放入修正块21之间的基板1上之后，发光二极的边缘与修正块21之间存在间隙，并不直接接触，为发光二极的固定提供了一定空间。
46.其中，在阵列基板预先形成图案化修正层2，图案化修正层2可以使用修改曝光图纸控制修正块21的长度l，通过曝光能量和曝光波段控制修正层2边缘的修正角度θ，以匹配不同尺寸的发光二极管4(修正长度l保证mled的水平方向，修正角度θ保证mled的垂直方向)。
47.此外，为了避免修正块21自己本身的结构稳定以及便于发光二极管4的转移，修正块21与基板1相交的端面与基板1的法向之间的夹角，也就是图2中所示的θ，其不大于60
°
。
48.本实施例中通过调节修正块21的长度和修正角度以匹配不同尺寸的发光二极管4，使得阵列基板的适用范围更广。
49.在一个实施例中，修正块21的侧面与基板1垂直，侧面为修正块21与基板1相交的端面，也就是修正块21与基板1相交的端面与基板1的法向之间不存在夹角。若直接放入发光二极管4，则发光二极管4的边缘与修正块21的侧面抵接。进一步地，可以通过其它部件固定支撑发光二极管4，发光二极管4的尺寸则小于最大面积的截面，然后将发光二极管4放入相邻的修正块21之间，则发光二极管4的边缘与修正块21的侧面不接触。
50.综上所述，在放入发光二极管4时，通过相邻的修正块21上部最大轮廓的地方抵接住放入的发光二极管4或者固定有发光二极管4的部件，避免发光二极管4发生水平方向和垂直方向的偏转。
51.需要说明的是，为了确保在放入转移的发光二极管4时的稳定性，修正块21在基板1的投影的形状可以是矩形、梯形、平行四边形，使得在放入发光二极管4时使放入的发光二极管4或者固定有发光二极管4的部件与修正块21的最大轮廓处更大范围地抵接，避免由于接触点太少导致偏移，最终导致发光二极管4发生水平方向和垂直方向的偏转。需要说明的是，在保持放入的发光二极管4或者固定有发光二极管4的部件与修正块21的最大轮廓处抵接的稳定性的前提下，最大面积的截面的边缘可以是间隔设置的凸点，修正块21在基板1的投影的形状也可以是三角形，本实施例不作具体限定。
52.在一个实施例中，定义基板1的法向为厚度方向，则修正块21的厚度小于等于待放入的发光二极管4的厚度，因此当放入转移的发光二极管4之后，发光二极管4的顶部超出修正块21或者与修正块21平齐。也就是当放入转移的发光二极管4之后，在厚度方向上，修正层2并不会影响后续的制程工序，避免修正层2与未设置发光二极管4的对应区域接触。
53.在一个实施例中，阵列基板还包括金属层3，金属层3包含至少一个金属块31，金属块31设于相邻的修正块21之间的基板1上。由于金属层3用于与发光二极管4电连接，因此各
个金属块31之间相互间隔，并不接触，且金属块31与转移的发光二极管4一一对应。
54.其中，金属层3可以设为铜膜焊盘，铜膜焊盘与发光二极管4一一对应电连接，进而将发光二极管4与阵列基板上的薄膜晶体管tft(thin film transistor)进行电连接。
55.在一个实施例中，修正块21在基板1的投影与金属块31在基板1的投影之间不相交，即修正块21的最大面积的截面的轮廓与金属块31在基板1的法向上不相交，为发光二极管4与金属块31的连接提供足够的空间。
56.其中，如图3和图5所示，将转移的发光二极管4一一对应放入相邻的修正块21之间的间隙中，发光二极管4或者固定有发光二极管4的部件与修正块21的最大轮廓处抵接，直至将发光二极管4放入与对应的金属块31进行电连接。
57.本实施例中转移发光二极管4时，修正层2刚好卡住发光二极管4，避免发光二极管4在水平方向以及垂直方向的角度发生变化，导致出光角度不均影响发光均匀性进而影响显示效果的问题。且直接在阵列基板上制备修正层2，相比于设定另外的修正装置进行修正，减少了工艺流程，提升可靠性。
58.请参阅图1至图6，本技术实施例提供一种阵列基板制作方法，该方法包括：
59.s10、提供基板1；
60.s20、在所述基板1上沉积修正层2，并蚀刻出图形得到阵列排布的修正块21，所述修正块21平行于所述基板1的各截面中，最大面积的所述截面设于所述修正块21远离所述基板1的一侧。
61.具体地，如图1所示，提供基板1，在基板1上沉积修正层2，修正层2可以是感光阻焊油墨，在后烘烤前具有一定的流动性。一方面转移发光二极管4时可使用白色阻焊油墨充当修正层2，提高反射率，降低光损耗。另一方面转移发光二极管4时可以使用黑色阻焊油墨充当修正层2，提高对比度。
62.对修正层2曝光蚀刻出图形得到阵列排布的修正块21，各个修正块21之间互不连接，相邻的修正块21之间暴露基板1的一部分。其中，修正块21阵列排布的方式以及间距都是基于待转移的发光二级光的分布情况决定，本实施例不作具体限制。也就是说，可以通过图案化修正层2得到不同方式阵列排布的修正块21，以匹配修正不同尺寸的发光二极管4。
63.此外，修正块21平行于基板1的各截面中，最大面积的截面设于修正块21远离基板1的一侧。如图3和图4所示，最大面积的截面处即为修正块21外轮廓最大的地方，当将发光二极管4转移到基板1上时，发光二极管4刚好抵接修正块21外轮廓最大的地方也就是最大面积的截面处。需要说明的是，与修正块21外轮廓最大的地方直接抵接的可能是发光二极管4，也可能是在转移过程中支撑固定发光二极管4的某个部件，只需要确保卡入修正块21之间的部件不会发生水平方向和垂直方向的偏转即可。
64.本实施例中在阵列基板预先形成图案化修正层2，将发光二极管4转移到阵列基板上时修正层2可对mled进行修正，且可以通过图案化修正层2以匹配不同尺寸的发光二极管4，避免发光二极管4在水平方向和垂直方向的角度不均匀进而影响发光均匀性。
65.在一个实施例中，所述s20、在所述基板1上沉积修正层2，并蚀刻出图形得到阵列排布的修正块21，包括：
66.s21、在所述基板1上沉积修正层2；
67.s22、获取曝光参数；
68.s23、根据所述曝光参数在所述修正层2上蚀刻出图形得到阵列排布的修正块21。
69.具体地，最大面积的截面不同方向的长度决定相邻修正块21之间的最小间距，进而决定能够被放入的发光二极管4的大小，因此，根据待转移的发光二极管4的尺寸确定最大面积的截面的尺寸，例如图4中所示的l，以匹配不同尺寸的发光二极管4。
70.修正块21平行于基板1的截面的面积随远离基板1而增大，最大面积的截面设于修正块21远离基板1的一侧，修正块21与基板1相交的端面与基板1的法向之间存在夹角，例如图4中所示的θ。也就是说，相比于顶部，修正块21与基板1连接的底部向内收缩了一部分。因此，将转移的发光二极管4放入修正块21之间的基板1上之后，发光二极的边缘与修正块21之间存在间隙，并不直接接触，为发光二极的固定提供了一定空间。
71.修正块21的长度l和修正角度θ可以根据设置曝光参数进行调节。其中，在阵列基板预先形成图案化修正层2，图案化修正层2可以使用修改曝光图纸控制修正块21的长度l，通过曝光能量和曝光波段控制修正层2边缘的修正角度θ，以匹配不同尺寸的发光二极管4(修正长度l保证mled的水平方向，修正角度θ保证mled的垂直方向)。曝光参数包括但不限于曝光图纸、曝光能量和曝光波段。
72.此外，为了避免修正块21自己本身的结构稳定以及便于发光二极管4的转移，修正块21与基板1相交的端面与基板1的法向之间的夹角，也就是图2中所示的θ，其不大于60
°
。
73.另外，修正块21的侧面还可以与基板1垂直，即修正角度θ为0
°
，侧面为修正块21与基板1相交的端面，也就是修正块21与基板1相交的端面与基板1的法向之间不存在夹角。若直接放入发光二极管4，则发光二极管4的边缘与修正块21的侧面抵接。进一步地，可以通过其它部件固定支撑发光二极管4，发光二极管4的尺寸则小于最大面积的截面，然后将发光二极管4放入相邻的修正块21之间，则发光二极管4的边缘与修正块21的侧面不接触。
74.综上所述，在放入发光二极管4时，通过相邻的修正块21上部最大轮廓的地方抵接住放入的发光二极管4或者固定有发光二极管4的部件，避免发光二极管4发生水平方向和垂直方向的偏转。
75.在一个实施例中，所述s20、在所述基板1上沉积修正层2，并蚀刻出图形得到阵列排布的修正块21之后，包括：
76.s30、在所述基板1上沉积金属层3，所述金属层3包含至少一个金属块31，所述金属块31设于相邻的修正块21之间的基板1上。
77.具体地，金属层3用于与发光二极管4电连接，因此各个金属块31之间相互间隔，并不接触，且金属块31与转移的发光二极管4一一对应。金属层3可以设为铜膜焊盘，铜膜焊盘与发光二极管4一一对应电连接，进而将发光二极管4与阵列基板上的薄膜晶体管tft(thin film transistor)进行电连接。
78.在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
79.本技术实施例提供一种显示装置，所述显示装置包括发光二极管和上述任意一项实施例所述的阵列基板，所述发光二极管设于所述阵列基板上。
80.具体地，显示装置中阵列基板包括基板1和修正层2，修正层2设于基板1上，修正层2包括阵列排布的修正块21，各个修正块21之间互不连接，相邻的修正块21之间暴露基板1的一部分。发光二极管4设于相邻的修正块21之间的基板1上。进一步地，相邻的修正块21之
间的基板1上设有金属块31，发光二极管4与金属块31一一对应电连接，进而实现发光二极管4与薄膜晶体管tft的电连接。此外，对于阵列基板的其余结构描述与上述实施例一致，本实施例中不再一一赘述。
81.以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
82.以上对本技术实施例所提供的一种阵列基板、阵列基板制作方法及显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
技术特征：1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基板；修正层，设于所述基板上，所述修正层包括阵列排布的多个修正块，所述修正块的多个截面中最大面积的截面设于所述修正块远离所述基板的一侧，所述多个截面平行于所述基板和所述修正块的接触面。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述修正块平行于所述基板的截面的面积随远离所述基板而增大。3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述修正块的侧面与所述基板垂直，所述侧面为所述修正块与所述基板相交的端面。4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述修正块的厚度小于等于待放入的发光二极管的厚度，所述厚度方向为所述基板法向。5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括金属层，所述金属层包含至少一个金属块，所述金属块设于相邻的所述修正块之间的所述基板上，所述金属层用于与发光二极管电连接。6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述修正块在所述基板的投影与所述金属块在所述基板的投影之间不相交。7.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述修正块设为感光阻焊油墨。8.一种阵列基板制作方法，其特征在于，包括：提供基板；在所述基板上沉积修正层，并蚀刻出图形得到阵列排布的修正块，所述修正块平行于所述基板的各截面中，最大面积的所述截面设于所述修正块远离所述基板的一侧。9.如权利要求8所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述在所述基板上沉积修正层，并蚀刻出图形得到阵列排布的修正块，包括：在所述基板上沉积修正层；获取曝光参数；根据所述曝光参数在所述修正层上蚀刻出图形得到阵列排布的修正块。10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括发光二极管和如权利要求1-7任意一项所述的阵列基板，所述发光二极管设于所述阵列基板上。
技术总结本申请公开一种阵列基板、阵列基板制作方法及显示装置。阵列基板包括：基板；修正层，设于所述基板上，所述修正层包括阵列排布的多个修正块，所述修正块的多个截面中最大面积的截面设于所述修正块远离所述基板的一侧，所述多个截面平行于所述基板和所述修正块的接触面。本申请将发光二极管转移到阵列基板上时修正层可对MLED进行修正，避免发光二极管在转移后，水平方向和垂直方向的角度不均匀，进而影响发光均匀性。响发光均匀性。响发光均匀性。
技术研发人员：石卓男
受保护的技术使用者：TCL华星光电技术有限公司
技术研发日：2022.03.21
技术公布日：2022/7/5
