1.本发明涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种半导体工艺设备及脉冲信号控制方法。
背景技术：2.双频容性耦合等离子(capacitively coupled plasma，ccp)刻蚀工艺以具有高刻蚀速率的优势广泛应用在微电子加工领域，实现高深宽比刻蚀。功率源一般选择两种不同射频频率的射频电源，频率较高的射频电源用于产生高密度的离子和自由基，频率较低的射频电源用于形成能够加速离子刻蚀的偏压。除射频电源之外，一般还会配置一个直流电源用于向上电极施加偏压，形成的偏压不仅有助于减少附着物的产生，而且对等离子体的密度，分布及电势等带来众多影响。
3.但是，现有的直流电源同一工艺步只能输出连续的电压信号，或者经过控制器调制获得输出频率一致的电压信号，在进行等离子体刻蚀工艺的过程中，无法应用于刻蚀形貌的调节，尤其无法获得高深宽比且侧壁垂直的刻蚀形貌。
技术实现要素：4.本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种半导体工艺设备及脉冲信号控制方法，其可以在进行等离子体刻蚀工艺的过程中对刻蚀形貌进行调节，以获得高深宽比且侧壁垂直的刻蚀形貌。
5.为实现本发明的目的而提供一种半导体工艺设备，包括工艺腔室、上电极和下电极、方波电源和两个射频电源，其中，
6.所述上电极和所述下电极沿竖直方向相对设置于所述工艺腔室中，所述下电极用于承载晶圆；两个射频电源的频率不同，用于输出射频连续信号或者射频脉冲信号，两个所述射频电源中的一者与所述下电极连接，另一者与所述下电极或者所述上电极连接，所述方波电源与所述上电极连接，用于输出可变频率的脉冲电压信号。
7.可选的，所述脉冲电压信号的周期为第一周期，所述脉冲电压信号具有第一频率，所述第一周期包括第一时段和第二时段，在所述第一时段，所述脉冲电压信号具有第二频率。
8.可选的，所述第一时段与所述第二时段的比值大于等于10％，且小于等于90％，和/或，在所述第一时段，所述脉冲电压信号的占空比大于等于10％，且小于等于90％。
9.可选的，所述第二频率大于等于2khz，且小于等于400khz；和/或，所述第一频率大于等于1khz，且小于等于50khz。
10.可选的，两个所述射频电源均与下电极连接，均用于输出射频脉冲信号；所述射频脉冲信号频率高的一者的周期为第二周期，所述射频脉冲信号频率低的一者的周期为第三周期，其中，所述第二周期的信号输出时段与所述第一时段同步。
11.可选的，所述第二周期中的信号输出时段与所述第三周期中的信号输出时段同
步；或，所述第二周期中的信号输出时段相对于所述第三周期中的信号输出时段具有预设延迟时间，且所述第二周期中的信号输出时段先于所述第三周期中的信号输出时段。
12.可选的，所述预设延迟时间大于等于所述第二周期中的信号输出时段的时间的一半，小于等于所述第二周期中的信号输出时段的时间。
13.可选的，所述工艺腔室还包括接地的导电部件，所述导电部件用于与等离子体接触。
14.可选的，所述导电部件包括构成所述工艺腔室的腔室壁的部件、或设置于所述下电极上的聚焦环，所述聚焦环环绕在所述晶圆的外周，且与所述下电极电绝缘。
15.可选的，所述方波电源为多个，其中一个所述方波电源与所述上电极连接，其余的所述方波电源分别与不同的所述导电部件对应连接。
16.作为另一个技术方案，本发明还提供一种脉冲信号控制方法，应用于半导体工艺设备，所述半导体工艺设备包括方波电源和两个射频电源，两个所述射频电源的一者与下电极连接，另一者与所述下电极或者上电极连接，所述方波电源与所述上电极连接；所述脉冲信号
17.控制方法包括：
18.控制两个所述射频电源的一者输出射频连续信号或者射频脉冲信号；
19.同时，控制两个所述射频电源的另一者输出射频连续信号或者射频脉冲信号；
20.同时，控制所述方波电源输出可变频率的脉冲电压信号；
21.其中，两个所述射频电源的频率不同。
22.可选的，所述脉冲电压信号的周期为第一周期，所述脉冲电压信号具有第一频率，所述第一周期包括第一时段和第二时段，在所述第一时段，所述脉冲电压信号具有第二频率；
23.所述控制所述方波电源输出可变频率的脉冲电压信号包括，控制所述脉冲电压信号由所述第二频率变为所述第一频率。
24.本发明具有以下有益效果：
25.本发明提供的半导体工艺设备及脉冲信号控制方法的技术方案中，两个射频电源的频率不同，用于输出射频连续信号或者射频脉冲信号，两个射频电源中的一者与下电极连接，另一者与下电极或者上电极连接，方波电源与上电极连接，用于输出可变频率的脉冲电压信号。这样，在进行等离子体刻蚀工艺的过程中，通过将方波电源与两个射频电源中的至少一者结合使用，且通过借助该方波电源输出可变频率的脉冲电压信号，可以对刻蚀形貌进行调节，从而可以获得高深宽比且侧壁垂直的刻蚀形貌。
附图说明
26.图1为现有的方波电源输出频率一致的脉冲电压信号的波形图；
27.图2为本发明实施例提供的半导体工艺设备的一种结构示意图；
28.图3为本发明实施例采用的方波电源输出可变频率的脉冲电压信号的波形图；
29.图4为本发明实施例采用的两个射频电源输出射频连续信号的波形图；
30.图5为本发明实施例采用的两个射频电源输出射频脉冲信号的一种波形图；
31.图6为本发明实施例采用的两个射频电源输出射频脉冲信号的另一种波形图；
32.图7为本发明实施例采用的两个射频电源输出射频脉冲信号和方波电源输出可变频率的脉冲电压信号的一种波形图；
33.图8a为上电极未连接方波电源的半导体工艺设备进行等离子体刻蚀工艺获得的刻蚀形貌的示意图；
34.图8b为本发明实施例采用的上电极连接方波电源的半导体工艺设备采用图7所示的脉冲信号控制方法进行等离子体刻蚀工艺获得的刻蚀形貌的示意图；
35.图9为本发明实施例采用的两个射频电源输出射频脉冲信号和方波电源输出可变频率的脉冲电压信号的另一种波形图；
36.图10为本发明实施例提供的半导体工艺设备的又一种结构示意图。
具体实施方式
37.为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的半导体工艺设备及脉冲信号控制方法进行详细描述。
38.请参阅图2，本发明实施例提供一种半导体工艺设备，包括工艺腔室1、上电极2和下电极3、方波电源6和两个射频电源4，其中，上电极2和下电极3沿竖直方向相对设置于工艺腔室1中。可选的，在工艺腔室1顶部设置有进气口，在这种情况下，上电极2在作为电极的基础上还可以是匀气装置，能够使自进气口进入工艺腔室1中的工艺气体均匀化。
39.两个射频电源4的频率(即，射频频率)不同，用于输出射频连续信号或者射频脉冲信号。频率较高的射频电源4用于产生高密度的离子和自由基，该射频电源4的射频频率例如为40mhz；频率较低的射频电源用于形成能够加速离子刻蚀的偏压，该射频电源4的射频频率例如为13.36mhz。两个射频电源4可以均通过匹配器5与下电极3连接，但是，本发明实施例并不局限于此，在实际应用中，两个射频电源4中的一者可以与下电极3连接，另一者与下电极3或者上电极2连接。
40.方波电源6与上电极2连接，用于向上电极2输出可变频率的脉冲电压信号，该电压信号为直流电压信号。在一些可选的实施例中，图3为本发明实施例采用的方波电源输出可变频率的脉冲电压信号的波形图。如图3所示，方波电源6输出的可变频率的脉冲电压信号的周期为第一周期t3，该脉冲电压信号具有第一频率(1/t3)，该第一周期t3包括第一时段t31和第二时段t32，在第一时段t31，脉冲电压信号具有第二频率(1/tm)，具体来说，在第一时段t31，脉冲电压信号的周期为tm，该周期tm包括信号输出时段(即，电压不为0v的on时段)tm1和信号关闭时段(即，电压为0v的off时段)tm2；而在第二时段t32，脉冲电压信号始终处于信号关闭状态(off状态)，这样，脉冲电压信号具有两个频率，即，上述第一频率和第二频率，称为可变频率的脉冲电压信号。当然，在实际应用中，根据不同的工艺需求，也可以采用其他的可变频率的脉冲电压信号，本发明实施例对此没有特别的限制。
41.在一些可选的实施例中，方波电源6可以通过射频滤波器7与上电极2连接，上述射频滤波器7用于防止射频电源4的频率干扰方波电源6。
42.在进行等离子体刻蚀工艺的过程中，在与两个射频电源4中的至少一者结合使用的情况下，借助方波电源6向上电极2输出可变频率的脉冲电压信号，可以在上电极2上形成偏压。该偏压一般是负电压(-v)。以方波电源6向上电极2加载的偏压为负电压(-v)为例，向上电极2加载负偏压可以产生更多的电子，以增大由上电极2产生的等离子体鞘层(即，带负
电区域)，从而可以压缩等离子体，缩小等离子体在工艺腔室1中的分布区域，从而有助于提高等离子体密度、工艺均匀性等。
43.而且，向上电极2加载负偏压，还可以增大上电极2的自偏压的绝对值，从而可以提高等离子体对上电极2表面的溅射效果，减少上电极2表面上附着物的堆积。在一些可选的实施例中，工艺腔室1还包括接地的导电部件，该导电部件用于与等离子体接触，其例如为构成工艺腔室1的腔室壁的部件、或设置于下电极3上的聚焦环8，该聚焦环8环绕在晶圆的外周，且与下电极3电绝缘。在这种情况下，可选的，上述方波电源6还可以为多个，其中一个方波电源6与上电极2连接，其余的方波电源6可以分别与不同的导电部件对应连接，该导电部件通过借助与之连接的方波电源6加载负偏压，也可以达到上述清洗效果。例如，如图10所示，方波电源6为两个，其中一个与上电极2连接，另一个与聚焦环8连接。
44.在进行等离子体刻蚀工艺的过程中，可以是两个射频电源4与方波电源6结合使用，也可以是其中一个射频电源4与方波电源6结合使用，而且在使用时，射频电源4可以输出射频连续信号，也可以输出射频脉冲信号，而且如果是两个射频电源4同时使用，两个射频电源4可以均输出射频连续信号，也可以均输出射频脉冲信号，还可以其中一个射频电源4输出射频连续信号，另一个射频电源4输出射频脉冲信号。方波电源6输出可变频率的脉冲电压信号，其可以与至少一个射频电源4输出的上述射频连续信号和射频脉冲信号中的一者结合使用，以满足不同的工艺需求。
45.通过将方波电源6与两个射频电源4中的至少一者结合使用，且通过借助该方波电源6输出可变频率的脉冲电压信号，可以对刻蚀形貌进行调节，从而可以获得高深宽比且侧壁垂直的刻蚀形貌。具体地，可以通过调节第一时段t31与第二时段t32的比值、在第一时段t31，脉冲电压信号的占空比、第一频率(1/t3)以及第二频率(1/tm)中的一种参数或多种参数的组合，来对刻蚀形貌进行调节，以获得高深宽比且侧壁垂直的刻蚀形貌。
46.在一些可选的实施例中，第一时段t31与第二时段t32的比值大于等于10％，且小于等于90％；和/或，在第一时段t31，脉冲电压信号的占空比大于等于10％，且小于等于90％。
47.在一些可选的实施例中，第一频率(1/t3)大于等于1khz，且小于等于50khz；和/或，第二频率(1/tm)大于等于2khz，且小于等于400khz。
48.在实际应用中，两个射频电源4中的至少一者输出射频连续信号时，如图4所示，频率较高的射频电源4连续输出射频脉冲信号的波形例如如图4(a)所示；频率较低的射频电源4输出射频连续信号的波形例如如图4(b)所示。
49.两个射频电源4中的至少一者也可以输出射频脉冲信号。两个射频电源4均输出射频脉冲信号时，如图5所示，频率较高的射频电源4输出射频脉冲信号的波形例如如图5(a)所示，其周期为第二周期t1，该第二周期t1包括信号输出时段(即，电压不为0v的on时段)t11和信号关闭时段(即，电压为0v的off时段)t12；频率较低的射频电源4输出射频脉冲信号的波形例如如图5(b)所示，其周期为第三周期t2，该第三周期t2包括信号输出时段(即，电压不为0v的on时段)t21和信号关闭时段(即，电压为0v的off时段)t22，可选的，第二周期t1的信号输出时段t11可以与第三周期t2的信号输出时段t21同步，即，两个射频电源4同步输出信号。
50.或者，两个射频电源4也可以异步输出信号，异步输出信号的方式可以有多种，例
如，如图6所示，第二周期t1中的信号输出时段t11相对于第三周期t2中的信号输出时段t21具有预设延迟时间δt，具体地，第二周期t1中的信号输出时段t11的起始时间先于第三周期t2中的信号输出时段t21的起始时间，且二者之间的时间间隔为δt。可选的，该预设延迟时间δt大于等于第二周期t1中的信号输出时段t11的时间的一半，小于等于第二周期t1中的信号输出时段t11的时间。这样，频率较高的射频电源4先输出射频脉冲信号，在经过第二周期t1中的信号输出时段t11的时间的一半以上的时间之后，频率较低的射频电源4再开始输出射频脉冲信号，从而可以保证已经产生足够密度的等离子体之后再利用频率较低的射频电源4吸引等离子体朝向晶圆表面移动，对等离子体的入射角度有较好的约束性，有利于形成高深宽比且侧壁垂直的刻蚀形貌。同时，上述预设延迟时间δt应小于等于第二周期t1中的信号输出时段t11的时间，以保证两个射频电源4最多有第二周期t1中的信号输出时段t11的时间的一半的时间共同输出射频脉冲信号，以满足工艺要求。
51.在实际应用中，对于两个射频电源4异步输出信号的情况，第二周期t1中的信号输出时段t11的占空比(t11与t1的百分比)与第三周期t2中的信号输出时段t21的占空比(t21与t2的百分比)可以相同，也可以不同。
52.下面对方波电源6与两个射频电源4结合使用的一个具体实施例进行详细描述，如图9所示，两个射频电源4与下电极3连接，且用于均输出射频脉冲信号，并且，第二周期t1的信号输出时段t11与第一时段t31同步。可选的，第二周期t1的信号输出时段t11也可以与第三周期t2的信号输出时段t21同步，在这种情况下，方波电源6与两个射频电源4同步输出信号，同步停止输出信号。这样设置，可以获得以下效果：
53.图8a为上电极未连接方波电源的半导体工艺设备进行等离子体刻蚀工艺获得的刻蚀形貌的示意图；图8b为本发明实施例采用的上电极连接方波电源的半导体工艺设备采用图7所示的脉冲信号控制方法进行等离子体刻蚀工艺获得的刻蚀形貌的示意图。对比图8a和图8b可知，图8b中形成的等离子体相对于图8a中形成的等离子体被压缩，这有助于缩小等离子体在工艺腔室1中的分布区域，从而有助于提高等离子体密度、工艺均匀性等。同时，在掩膜101上还可以沉积形成一层保护层102，该保护层102可以保护掩膜101的刻蚀形貌，从而有助于改善被刻蚀层103的刻蚀形貌，获得更好的工艺结果。而图8a中上电极未连接方波电源的半导体工艺设备进行等离子体刻蚀工艺时，无法形成上述保护层102。
54.而且，如图8b所示，如果方波电源6输出的脉冲电压信号从上电极2靠近中心的位置馈入，则工艺腔室的中心区域产生的电子相对于边缘区域较多，则等离子体分布在中心区域的密度相对于边缘区域较高，从而可以提高工艺腔室的中心区域的刻蚀速率，以补偿工艺腔室的中心区域与边缘区域之间的刻蚀速率差异，从而可以提高刻蚀均匀性。
55.此外，在方波电源6没有信号输出的第二时段t32，同时也是两个射频电源4没有信号输出的信号关闭时段t12和t22，工艺腔室1中的反应气体不参加解离，此时无正离子进行刻蚀，在此阶段，大量电子或者带负电的离子在到达沟槽或孔的底部时，会与正离子中和，这些正离子是在方波电源6有信号输出的第一阶段t31，同时也是两个射频电源4的信号输出阶段t11和t21，由工艺腔室1中的反应气体解离出的，这些正离子发生的微放电会对沟槽或孔的形貌产生破坏。因此，通过在方波电源6没有信号输出的信号关闭时段t32对沟槽或孔的底部残留的正离子去除，可以有效改善工艺结果。
56.在进行沟槽或孔的等离子体刻蚀工艺时，在工艺条件(压力、气体种类、功率、温度
等)满足工艺要求的前提下，方波电源6具体采用下述参数，即：第一周期t3中的第一时段t31与第二时段t32的比值为40％；第一频率(1/t3)为10khz；在第一时段t31，脉冲电压信号的占空比为50％；第二频率(1/tm)为400khz。如图8b所示，相比于图8a上电极未连接方波电源的半导体工艺设备进行等离子体刻蚀工艺获得的刻蚀形貌，本发明实施例采用的半导体工艺设备通过将方波电源6与两个射频电源4结合使用，并采用上述参数进行等离子体刻蚀工艺，获得的沟槽或孔的侧壁更平滑、更垂直，该效果在深宽比为30:1以上的沟槽或孔的工艺中更明显，从而可以获得高深宽比且侧壁垂直的刻蚀形貌。
57.需要说明的是，在上述实施例中，第二周期t1中的信号输出时段t11、第三周期t2中的信号输出时段t21和第一周期t3中的第一时段t31同步(同时开始，同时停止)。但是，本发明实施例并不局限于此，在实际应用中，如图9所示，也可以在第二周期t1的信号输出时段t11与第一时段t31同步的基础上，第二周期t1中的信号输出时段t11相对于第三周期t2中的信号输出时段t21具有预设延迟时间δt，这种异步方式在上文中已有了详细描述，在此不再赘述。
58.作为另一个技术方案，本发明实施例还提供一种脉冲信号控制方法，其应用于本发明实施例提供的上述半导体工艺设备，以图2示出的半导体工艺设备为例，该半导体工艺设备包括工艺腔室1、上电极2和下电极3、方波电源6和两个射频电源4，其中，两个射频电源4的频率不同，用于输出射频连续信号或者射频脉冲信号。频率较高的射频电源4用于产生高密度的离子和自由基，该射频电源4的射频频率例如为40mhz；频率较低的射频电源用于形成能够加速离子刻蚀的偏压，该射频电源4的射频频率例如为13.36mhz。两个射频电源4可以均通过匹配器5与下电极3连接，但是，本发明实施例并不局限于此，在实际应用中，两个射频电源4中的一者可以与下电极3连接，另一者与下电极3或者上电极2连接。
59.该脉冲信号控制方法包括：
60.控制两个射频电源4的一者输出射频连续信号或者射频脉冲信号；
61.同时，控制两个射频电源4的另一者输出射频连续信号或者射频脉冲信号；
62.同时，控制方波电源6输出可变频率的脉冲电压信号；
63.其中，两个射频电源4的频率不同。
64.通过将方波电源6与两个射频电源4结合使用，且通过借助该方波电源输出可变频率的脉冲电压信号，可以对刻蚀形貌进行调节，从而可以获得高深宽比且侧壁垂直的刻蚀形貌。
65.在一些可选的实施例中，如图3所示，方波电源6输出的可变频率的脉冲电压信号的周期为第一周期t3，该脉冲电压信号具有第一频率(1/t3)，该第一周期t3包括第一时段t31和第二时段t32，在第一时段t31，脉冲电压信号具有第二频率(1/tm)。在这种情况下，上述控制方波电源6输出可变频率的脉冲电压信号包括：
66.控制上述脉冲电压信号由第二频率(1/tm)变为第一频率(1/t3)，以使方波电源6能够输出可变频率的脉冲电压信号。
67.综上所述，本发明实施例提供的半导体工艺设备及脉冲信号控制方法的技术方案中，两个射频电源的频率不同，用于输出射频连续信号或者射频脉冲信号，两个射频电源中的一者与下电极连接，另一者与下电极或者上电极连接，方波电源与上电极连接，用于输出可变频率的脉冲电压信号。这样，在进行等离子体刻蚀工艺的过程中，通过将方波电源与两
个射频电源中的至少一者结合使用，且通过借助该方波电源输出可变频率的脉冲电压信号，可以对刻蚀形貌进行调节，从而可以获得高深宽比且侧壁垂直的刻蚀形貌。
68.可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
技术特征：1.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括工艺腔室、上电极和下电极、方波电源和两个射频电源，其中，所述上电极和所述下电极沿竖直方向相对设置于所述工艺腔室中，所述下电极用于承载晶圆；两个射频电源的频率不同，用于输出射频连续信号或者射频脉冲信号，两个所述射频电源中的一者与所述下电极连接，另一者与所述下电极或者所述上电极连接，所述方波电源与所述上电极连接，用于输出可变频率的脉冲电压信号。2.根据权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述脉冲电压信号的周期为第一周期，所述脉冲电压信号具有第一频率，所述第一周期包括第一时段和第二时段，在所述第一时段，所述脉冲电压信号具有第二频率。3.根据权利要求2所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述第一时段与所述第二时段的比值大于等于10％，且小于等于90％，和/或，在所述第一时段，所述脉冲电压信号的占空比大于等于10％，且小于等于90％。4.根据权利要求2所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述第二频率大于等于2khz，且小于等于400khz；和/或，所述第一频率大于等于1khz，且小于等于50khz。5.根据权利要求2至4任意一项所述的半导体工艺设备，其特征在于，两个所述射频电源均与下电极连接，均用于输出射频脉冲信号；所述射频脉冲信号频率高的一者的周期为第二周期，所述射频脉冲信号频率低的一者的周期为第三周期，其中，所述第二周期的信号输出时段与所述第一时段同步。6.根据权利要求5所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述第二周期中的信号输出时段与所述第三周期中的信号输出时段同步；或，所述第二周期中的信号输出时段相对于所述第三周期中的信号输出时段具有预设延迟时间，且所述第二周期中的信号输出时段先于所述第三周期中的信号输出时段。7.根据权利要求6所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述预设延迟时间大于等于所述第二周期中的信号输出时段的时间的一半，小于等于所述第二周期中的信号输出时段的时间。8.根据权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述工艺腔室还包括接地的导电部件，所述导电部件用于与等离子体接触。9.根据权利要求8所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述导电部件包括构成所述工艺腔室的腔室壁的部件、或设置于所述下电极上的聚焦环，所述聚焦环环绕在所述晶圆的外周，且与所述下电极电绝缘。10.根据权利要求8或9所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述方波电源为多个，其中一个所述方波电源与所述上电极连接，其余的所述方波电源分别与不同的所述导电部件对应连接。11.一种脉冲信号控制方法，其特征在于，应用于半导体工艺设备，所述半导体工艺设备包括方波电源和两个射频电源，两个所述射频电源的一者与下电极连接，另一者与所述下电极或者上电极连接，所述方波电源与所述上电极连接；所述脉冲信号控制方法包括：控制两个所述射频电源的一者输出射频连续信号或者射频脉冲信号；同时，控制两个所述射频电源的另一者输出射频连续信号或者射频脉冲信号；同时，控制所述方波电源输出可变频率的脉冲电压信号；
其中，两个所述射频电源的频率不同。12.根据权利要求11所述的脉冲信号控制方法，其特征在于，所述脉冲电压信号的周期为第一周期，所述脉冲电压信号具有第一频率，所述第一周期包括第一时段和第二时段，在所述第一时段，所述脉冲电压信号具有第二频率；所述控制所述方波电源输出可变频率的脉冲电压信号包括，控制所述脉冲电压信号由所述第二频率变为所述第一频率。
技术总结本发明提供一种半导体工艺设备及脉冲信号控制方法，该半导体工艺设备包括工艺腔室、上电极和下电极、方波电源和两个射频电源，其中，上电极和下电极沿竖直方向相对设置于工艺腔室中，下电极用于承载晶圆；两个射频电源的频率不同，用于输出射频连续信号或者射频脉冲信号，两个射频电源中的一者与下电极连接，另一者与下电极或者上电极连接，方波电源与上电极连接，用于输出可变频率的脉冲电压信号。本发明提供的半导体工艺设备及脉冲信号控制方法，可以在进行等离子体刻蚀工艺的过程中对刻蚀形貌进行调节，以获得高深宽比且侧壁垂直的刻蚀形貌。刻蚀形貌。刻蚀形貌。
技术研发人员：杨京 黄亚辉 赵晓建 张鹏
受保护的技术使用者：北京北方华创微电子装备有限公司
技术研发日：2022.03.29
技术公布日：2022/7/5
