1.本实用新型是关于纳米压印技术领域，特别是关于一种大面积纳米压印拼接模板。
背景技术：2.纳米压印技术是一种使用压印模板单元下压压印胶，生成微小图案形状的一种微纳加工技术。自上世界90年代该技术被从实验室引入生产领域，在薄膜材料制作(例如led显示技术、平板显示屏)领域有大规模的应用；并且随着技术材料的发展，模板的制作技术也随之产生巨大的变化。其中，大面积的模板制作，从之前单一的离子(电子)束刻蚀，到模板的形状转移技术，再到模板拼接技术，使压印模板单元的制作成本大规模降低，同时生产效率大大提高。
3.现有技术中大面积压印模板单元的制作方式，通常是在压印模板单元边缘设置牺牲层，在两个压印模板单元间重复压印(在接缝处二次压印)。然而，这种拼接结构不能保证压印模板单元的精确对准。
4.因此，针对上述技术问题，有必要提供一种新的面积纳米压印拼接模板。
技术实现要素：5.本实用新型的目的在于提供一种面积纳米压印拼接模板，该纳米压印拼接模板通过基准光栅的设置，能够提高拼接压印模板单元时的对准精度。
6.为实现上述目的，本实用新型提供的技术方案如下：
7.一种大面积纳米压印拼接模板，其包括基板和多个压印模板单元；所述基板上设有多个阵列排布的基准光栅，所述多个阵列排布的基准光栅在所述基板上界定多个拼接区域；所述多个压印模板单元分别设于所述多个拼接区域内，且任意相邻的两个所述压印模板单元相互拼接。
8.在一个或多个实施方式中，所述基板上任意相邻的两个所述基准光栅的对准中心之间的间距为d；所述压印模板单元上形成有多个微纳结构，相邻的两个所述微纳结构之间的间距为a；其中，d为a的正整数倍。
9.在一个或多个实施方式中，所述基准光栅呈矩阵排布。
10.在一个或多个实施方式中，所述基准光栅为能够形成摩尔纹的圆形光栅。
11.在一个或多个实施方式中，任意相互拼接的两个所述压印模板单元均具有相互重合的过渡部分。
12.在一个或多个实施方式中，任意相互拼接的两个所述压印模板单元的所述过渡部分相互压合。
13.在一个或多个实施方式中，所述压印模板单元由压印胶固化形成。
14.在一个或多个实施方式中，所述基板的表面上设有增粘剂。
15.与现有技术相比，本实用新型提供的大面积纳米压印拼接模板，通过在基板上设
置多个阵列排布的基准光栅，该基准光栅能够在拼接压印模板单元时，作为对准准星，以使得压印模板单元能够精确的被布置在基板上预定的拼接区域内，从而实现压印模板单元间的精准过渡。
附图说明
16.图1是本实用新型一实施方式中大面积纳米压印拼接模板的结构示意图；
17.图2是本实用新型一实施方式中基板的结构示意图；
18.图3是本实用新型一实施方式中形成压印模板单元的场景示意图；
19.图4是本实用新型一实施方式中拼接压印模板单元的场景示意图；
20.图5是本实用新型一实施方式中拼接压印模板单元的另一场景示意图。
21.主要附图标记说明：
22.1-基板，11-基准光栅，2-压印模板单元，21-微纳结构，3-衬底，4-承载平台，41-对准光栅，5-母模板。
具体实施方式
23.下面结合附图，对本实用新型的具体实施方式进行详细描述，但应当理解本实用新型的保护范围并不受具体实施方式的限制。
24.除非另有其它明确表示，否则在整个说明书和权利要求书中，术语“包括”或其变换如“包含”或“包括有”等等将被理解为包括所陈述的元件或组成部分，而并未排除其它元件或其它组成部分。
25.请参照图1和图2所示，本实用新型一实施方式中的大面积纳米压印拼接模板，其包括基板1和多个压印模板单元2。其中，基板1上设有多个阵列排布的基准光栅11，该多个阵列排布的基准光栅11在基板1上界定出多个拼接区域；多个压印模板单元2分别设于多个拼接区域内，且任意相邻的两个压印模板单元2相互拼接。
26.一示例性的实施例中，请参照图3所示，压印模板单元2由带有压印结构的母模板5在压印胶上压印后固化形成。压印模板单元2的具体制作过程如下：将母模板5固定于一具有对准光栅41的承载平台4上，使母模板5的压印结构朝下设置；在一衬底3上旋涂一层压印胶，驱动承载平台4下压，使母模板5在对衬底3上的压印胶进行压印，压印胶固化后即形成压印模板单元2。
27.具体地，在母模板5上涂覆有第一抗粘剂，该第一抗粘剂能够降低压印胶与母模板5之间的粘接强度，以便于压印模板单元2的顺利脱模。在衬底3上涂覆有第二抗粘剂，该第二抗粘剂的抗粘系数高于第一抗粘剂，以使得压印胶对母模板5的粘附力大于压印胶对衬底3的粘附力，从而可在分离压印模板单元2和衬底3时，避免压印模板单元2从母模板5上脱落，使压印模板单元2可随母模一同转移。
28.一示例性的实施例中，请参照图4和图5所示，对压印模板单元2进行拼接时，移动承载平台4，使压印模板单元2随母模一同转移至基板1上方，通过基板1上的基准光栅11和承载平台4上的对准光栅41进行光学对准；然后下压承载平台4，使母模板5上的压印模板单元2压在基板1的表面上，即可使母模板5上的压印模板单元2准确地转移至基板1上预定的拼接区域内。以与前述拼接区域相邻的拼接区域为下一拼接压印模板单元2的区域，重复前
述对准拼接步骤，即可实现大面积纳米压印拼接模板的制作。
29.具体地，基板1上的表面上涂覆有增粘剂，该增粘剂能够增加压印胶对基板1的粘附力，以使母模板5上的压印模板单元2压在基板1的表面上时，压印模板单元2能够顺利的从母模板5上脱离。
30.优选地，基准光栅11和对准光栅41均为能够形成摩尔纹的圆形光栅，基准光栅11和对准光栅41可通过摩尔纹对准的方式实现光学对准。进一步地，可通过工业摄像头获取基准光栅11和对准光栅41的摩尔纹图案，配合机械控制机构调整承载平台4的位置，以实现高精度对准。
31.一示例性的实施例中，请参照图5所示，基板1上任意相互拼接的两个压印模板单元2均具有相互重合的过渡部分。任意相互拼接的两个压印模板单元2的前述过渡部分，在将压印模板单元2下压于基板1上时，在压力的作用下相互压合，而过渡部分多余的残胶可在压力作用下均匀摊平，被压印模板单元2均匀稀释，从而实现无缝拼接的效果。
32.具体地，基板1上任意相邻的两个基准光栅11的对准中心之间的间距为d；压印模板单元2上形成有多个微纳结构21，且相邻的两个微纳结构21之间的间距为a；其中，d为a的正整数倍。d优选为a的两倍以上。通过前述尺寸关系的设定，能够使得拼接时压印模板单元2上的微纳结构21平稳的正确过渡，拼接后不会破坏整体图案。
33.具体地，基板1上的多个基准光栅11呈矩阵排布，基于矩阵排布的基准光栅11，可以拼接得到呈矩形的大面积纳米压印拼接模板。
34.综上所述，本实用新型提供的大面积纳米压印拼接模板，通过在基板上设置多个阵列排布的基准光栅，该基准光栅能够在拼接压印模板单元时，作为对准准星，以使得压印模板单元能够精确的被布置在基板上预定的拼接区域内，从而实现压印模板单元间的精准过渡。
35.前述对本实用新型的具体示例性实施方案的描述是为了说明和例证的目的。这些描述并非想将本实用新型限定为所公开的精确形式，并且很显然，根据上述教导，可以进行很多改变和变化。对示例性实施例进行选择和描述的目的在于解释本实用新型的特定原理及其实际应用，从而使得本领域的技术人员能够实现并利用本实用新型的各种不同的示例性实施方案以及各种不同的选择和改变。本实用新型的范围意在由权利要求书及其等同形式所限定。
技术特征：1.一种大面积纳米压印拼接模板，其特征在于，包括：基板，所述基板上设有多个阵列排布的基准光栅，所述多个阵列排布的基准光栅在所述基板上界定多个拼接区域；多个压印模板单元，分别设于所述多个拼接区域内，且任意相邻的两个所述压印模板单元相互拼接。2.如权利要求1所述的大面积纳米压印拼接模板，其特征在于，所述基板上任意相邻的两个所述基准光栅的对准中心之间的间距为d；所述压印模板单元上形成有多个微纳结构，相邻的两个所述微纳结构之间的间距为a；其中，d为a的正整数倍。3.如权利要求1所述的大面积纳米压印拼接模板，其特征在于，所述基准光栅呈矩阵排布。4.如权利要求3所述的大面积纳米压印拼接模板，其特征在于，所述基准光栅为能够形成摩尔纹的圆形光栅。5.如权利要求1所述的大面积纳米压印拼接模板，其特征在于，任意相互拼接的两个所述压印模板单元均具有相互重合的过渡部分。6.如权利要求5所述的大面积纳米压印拼接模板，其特征在于，任意相互拼接的两个所述压印模板单元的所述过渡部分相互压合。7.如权利要求6所述的大面积纳米压印拼接模板，其特征在于，所述压印模板单元由压印胶固化形成。8.如权利要求1～7中任一项所述的大面积纳米压印拼接模板，其特征在于，所述基板的表面上设有增粘剂。
技术总结本实用新型公开了一种大面积纳米压印拼接模板，其包括基板和多个压印模板单元；所述基板上设有多个阵列排布的基准光栅，所述多个阵列排布的基准光栅在所述基板上界定多个拼接区域；所述多个压印模板单元分别设于所述多个拼接区域内，且任意相邻的两个所述压印模板单元相互拼接。本实用新型提供的大面积纳米压印拼接模板，通过在基板上设置多个阵列排布的基准光栅，该基准光栅能够在拼接压印模板单元时，作为对准准星，以使得压印模板单元能够精确的被布置在基板上预定的拼接区域内，从而实现压印模板单元间的精准过渡。现压印模板单元间的精准过渡。现压印模板单元间的精准过渡。
技术研发人员：罗刚
受保护的技术使用者：苏州鸿兴微纳科技有限公司
技术研发日：2022.01.13
技术公布日：2022/7/5
