转移装置及转移方法与流程

allin2023-04-03  114



1.本技术涉及显示技术领域,尤其涉及一种转移装置及转移方法。


背景技术:

2.micro-led即发光二极管(led:lightemittingdiode)微缩技术,是指将传统led阵列化、微缩化后定址巨量转移到电路基板上,形成超小间距led,将毫米级别的led长度进一步微缩到微米级,以达到超高像素、超高解析率。microled具备无需背光源、能够自发光的特性,与有机发光二极管(oled:organiclight-emittingdiode)相似,但相比oled,microled色彩更容易准确的调试,有更长的发光寿命和更高的亮度,且封装要求低,更容易实现柔性及无缝拼接显示,是未来极具发展潜力的未来显示器。
3.目前,转移发光二极管的方法通常是采用磁力吸附或静电吸附的方法来吸附发光二极管,其转移原理为对由硅材料制成的头部分施加电压,由此通过静电现象与微发光二极管产生密接力,然而,所述方法在静电感应时会因施加在头部的电压产生因静电现象引起的微发光二极管损伤的问题,且工艺复杂,不利于快速制备器件。


技术实现要素:

4.本技术实施例提供一种移动终端,用以缓解相关技术中的不足。
5.为实现上述功能,本技术实施例提供的技术方案如下:
6.本技术实施例提供一种转移装置,包括转移基板和与所述转移基板相对设置的转移载板,所述转移基板包括:
7.基板主体,所述基板主体包括多个通孔,所述通孔沿第一方向贯穿所述基板主体,所述第一方向为垂直于所述转移载板的方向;
8.转移头主体,所述转移头主体包括多个粘附柱,一所述通孔内设有一所述粘附柱,所述转移头主体通过所述粘附柱与所述基板主体沿所述第一方向滑动连接;
9.其中,所述转移载板用于承载多个与所述粘附柱一一对应的待转移的芯片,在第二方向上,待转移的所述芯片的宽度大于所述通孔的直径,所述第二方向与所述第一方向垂直。
10.在本技术实施例所提供的转移装置中,所述粘附柱包括沿远离所述转移载板方向依次布置的粘附层和粘附柱主体,其中,所述粘附层的材料为粘性材料。
11.在本技术实施例所提供的转移装置中,沿所述第一方向,所述粘附层的宽度小于或等于所述通孔的直径。
12.在本技术实施例所提供的转移装置中,沿所述第一方向,所述粘附柱主体的长度大于所述通孔的深度。
13.在本技术实施例所提供的转移装置中,在所述第二方向上,所述粘附柱的横截面积小于待转移的所述芯片的横截面积。
14.本技术实施例提供一种转移方法,包括以下步骤:
15.提供一转移装置,所述转移装置包括转移基板和与所述转移基板相对设置的转移载板,所述基板主体包括多个通孔,所述通孔沿第一方向贯穿所述基板主体,所述第一方向为垂直于所述转移载板的方向,所述转移头主体包括多个粘附柱,一所述通孔内设有一所述粘附柱;
16.在所述转移载板靠近所述转移基板的一侧形成多个待转移的芯片,沿第二方向,待转移的所述芯片的宽度大于所述通孔的直径,所述第二方向与所述第一方向垂直;
17.将所述转移基板与所述转移载板进行对位,所述粘附柱与待转移的所述芯片一一对应,通过所述粘附柱与所述基板主体滑动连接,使待转移的所述芯片拾取至所述转移基板上;
18.将所述转移基板与接收基板进行对位,将待转移的所述芯片转移至所述接收基板上。
19.在本技术实施例所提供的转移方法中,所述将所述转移基板与所述转移载板进行对位,所述粘附柱与待转移的所述芯片一一对应,通过所述粘附柱与所述基板主体滑动连接,使待转移的所述芯片拾取至所述转移基板上的步骤中,还包括以下步骤:
20.将所述粘附柱朝着靠近所述转移载板的方向滑动;
21.将所述粘附柱穿过所述通孔与待转移的所述芯片相接触,以使待转移的所述芯片粘附至所述粘附柱上。
22.在本技术实施例所提供的转移方法中,所述将所述转移基板与接收基板进行对位,将待转移的所述芯片转移至所述接收基板上的步骤中,还包括以下步骤:
23.将所述粘附柱朝着远离所述接收基板的方向移动;
24.利用所述通孔将粘附在所述粘附柱上的待转移的所述芯片剥离,使待转移的所述芯片转移至所述接收基板上。
25.在本技术实施例所提供的转移方法中,所述粘附柱包括沿远离所述转移载板方向依次布置的粘附层和粘附柱主体,所述粘附层的材料为粘性材料,所述粘附柱主体的材料为刚性材料,其中,所述粘附层与所述粘附柱主体的结合力大于所述粘附层与待转移的所述芯片的结合力。
26.本技术实施例的有益效果:本技术提供一种转移装置及转移方法,所述转移装置包括转移基板和与所述转移基板相对设置的转移载板,所述转移基板包括基板主体和转移头主体,所述基板主体包括多个通孔,所述通孔沿第一方向贯穿所述基板主体,所述转移头主体包括多个粘附柱,一所述通孔内设有一所述粘附柱,所述转移头主体通过所述粘附柱与所述基板主体沿所述第一方向滑动连接,其中,所述转移载板用于承载多个与粘附柱一一对应的待转移芯片,在第二方向上,待转移的所述芯片的宽度大于所述通孔的直径;在对所述芯片进行转移时,本技术实施例只需利用所述通孔就能将粘附在所述粘附柱上的待转移的所述芯片剥离,使其落在接收基板上,转移过程简单,转移成本也较低。
附图说明
27.下面结合附图,通过对本技术的具体实施方式详细描述,将使本技术的技术方案及其它有益效果显而易见。
28.图1为本技术实施例所提供的转移装置的截面示意图;
29.图2本技术实施例所提供的转移方法的流程图;
30.图3a~图3e为图2中转移方法的工艺流程图。
具体实施方式
31.下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。此外,应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本技术,并不用于限制本技术。在本技术中,在未作相反说明的情况下,使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下,具体为附图中的图面方向;而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
32.本技术实施例提供一种转移装置及转移方法。以下分别进行详细说明。需说明的是,以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
33.请参阅图1~图3e,本技术实施例提供一种转移装置及转移方法,所述转移装置1包括转移基板10和与所述转移基板10相对设置的转移载板20;
34.所述转移基板10包括基板主体11和转移头主体12,所述基板主体包括多个通孔110,所述通孔110沿第一方向y贯穿所述基板主体11,所述第一方向y为垂直于所述转移载板20的方向;
35.所述转移头主体12包括多个粘附柱120,一所述通孔110内设有一所述粘附柱120,所述转移头主体12通过所述粘附柱120与所述基板主体11沿所述第一方向y滑动连接;
36.其中,所述转移载板20用于承载多个与所述粘附柱120一一对应的待转移的芯片30,在第二方向x上,待转移的所述芯片30的宽度大于所述通孔110的直径,所述第二方向x与所述第一方向y垂直。
37.需要说明的是,由于在本技术实施例中,通过设置所述基板主体包括多个通孔110,所述通孔110沿第一方向y贯穿所述基板主体11,所述转移头主体12包括多个粘附柱120,一所述通孔110内设有一所述粘附柱120,所述转移头主体12通过所述粘附柱120与所述基板主体11沿所述第一方向y滑动连接,因此,当对所述转移载板20承载的待转移的所述芯片30进行转移时,可以利用所述粘附柱120与所述通孔110的相对滑动,从而对待转移的所述芯片30进行转移,并且,由于沿所述第二方向x,待转移的所述芯片30的宽度大于所述通孔110靠近所述转移头主体12一侧的开口大小,使得待转移的所述芯片30被粘性吸附后,可以利用所述通孔110将待转移的所述芯片30进行剥离,使待转移的所述芯片30转移至所述接收基板上,从而完成待转移的所述芯片30的转移过程。
38.可以理解的是,相对于现有技术中,采用磁力吸附或静电吸附的方法来吸附待转移的所述芯片30,其转移原理为对由硅材料制成的头部分施加电压,由此通过静电现象与待转移的所述芯片30产生密接力,然而,在现有的方法中,在静电感应时会因施加在转移头部的电压而产生因静电现象引起的芯片30损伤的问题,且工艺复杂,不利于快速制备器件,本技术实施例通过利用所述粘附柱120与所述通孔110的相对滑动,从而对待转移的所述芯片30进行转移,其转移过程简单,转移成本也较低;同时,利用所述通孔110将粘附在所述粘附柱120上的待转移的所述芯片30剥离,使待转移的所述芯片30转移至所述接收基板上,从
而避免对待转移的所述芯片30造成损伤。
39.现结合具体实施例对本技术的技术方案进行描述。
40.在一实施例中,请结合图1,为本技术实施例所提供的转移装置的截面示意图。
41.本实施例提供一种转移装置1,所述转移装置1包括转移基板10和与所述转移基板10相对设置的转移载板20,所述转移基板10包括基板主体11和转移头主体12。
42.所述基板主体包括多个通孔110,所述通孔110沿第一方向y贯穿所述基板主体11,所述第一方向y为垂直于所述转移载板20的方向;所述转移头主体12包括多个粘附柱120,一所述通孔110内设有一所述粘附柱120,所述转移头主体12通过所述粘附柱120与所述基板主体11沿所述第一方向y滑动连接;可以理解的是,本实施例对所述通孔110的形状不做具体限制;具体地,所述转移头主体12位于所述基板主体11远离所述转移载板20的一侧。
43.其中,所述转移载板20用于承载多个与所述粘附柱120一一对应的待转移的芯片30,在第二方向x上,待转移的所述芯片30的宽度大于所述通孔110的直径,所述第二方向x与所述第一方向y垂直;具体地,所述第一方向为图1中的y方向,所述第二方向为图1中的x方向。
44.具体地,所述基板主体11包括相对设置的第一表面和第二表面,所述通孔110贯穿所述第一表面(图中未标记)和所述第二表面(图中未标记),所述粘附柱120位于所述通孔110内,一所述粘附柱120与一所述通孔110滑动设置,沿所述第一方向y,所述粘附柱120的长度大于所述通孔110的深度,且所述粘附柱120贯穿所述通孔110,所述转移载板20包括相对设置的第三表面(图中未标记)和第四表面(图中未标记),所述第三表面与所述第一表面相对设置,待转移的所述芯片30位于所述第三表面上方,待转移的所述芯片30包括但不限于微型发光二极管(mini-light-emittingdiode,mini-led),本实施例对此不做具体限制。
45.进一步地,所述粘附柱120包括沿远离所述转移载板20方向依次设置的粘附层121和粘附柱主体122,其中,所述粘附层121的材料为粘性材料,所述粘性材料包括但不限于聚二甲基硅氧烷(polydimethylsiloxane,pdms),所述粘附层121的一端与所述粘附柱主体122粘接,所述粘附层121的另一端与待转移的所述芯片30粘接;优选地,在本实施例中,沿所述第一方向y,所述粘附层121的宽度小于或等于所述通孔110的直径,所述粘附柱主体122的长度大于所述通孔110的深度。
46.可以理解的是,本实施例可以利用所述粘附柱120与所述通孔110的相对滑动,通过具有粘性材料的所述粘附层121,以使每一所述粘附柱120能够粘性吸附一个待转移的所述芯片30,从而将待转移的所述芯片30拾取至所述转移基板10上;并且,由于所述转移装置1中,所述转移头主体12包括多个所述粘附柱120,所述粘附柱120的粘附层121具有粘性,每一所述粘附柱120均能粘性吸附一个待转移的所述芯片30,可实现对待转移的所述芯片30的巨量转移。
47.在本实施例中,在所述第二方向x上,所述粘附柱120的横截面积小于待转移的所述芯片30的横截面积,优选地,所述粘附柱120的横截面积为待转移的所述芯片30的横截面积的70%~80%,从而确保对待转移的所述芯片30进行转移时,将待转移的所述芯片30拾取至所述转移基板10上。
48.进一步的,所述粘附柱主体122的材料包括但不限于刚性材料,所述刚性材料包括但不限于金属材料,本实施例对此不做具体限制,其中,所述粘附柱主体122和所述粘附层
121之间的结合力大于所述粘附层121与待转移的所述芯片30之间的结合力,从而确保利用所述通孔110将待转移的所述芯片30进行剥离时,使待转移的所述芯片30与所述粘附层121分离。
49.需要说明的是,在本实施例中,所述粘附层121的形状包括但不限于圆台形或圆柱形中的一种,所述粘附层121在所述转移头主体12上的正投影与所述粘附柱主体122在所述转移头主体12上的正投影重叠。
50.请参阅图2、及图3a~图3e;其中,图2本技术实施例所提供的转移方法的流程图;图3a~图3e为图2中转移方法的工艺流程图。
51.本实施例提供一种转移方法,包括以下步骤:
52.步骤s100:提供一转移装置1,所述转移装置1包括转移基板10和与所述转移基板10相对设置的转移载板20,所述转移基板10包括基板主体11和转移头主体12,所述基板主体包括多个通孔110,所述通孔110沿第一方向y贯穿所述基板主体11,所述第一方向y为垂直于所述转移载板20的方向;
53.所述转移头主体12包括多个粘附柱120,一所述通孔110内设有一所述粘附柱120,所述转移头主体12通过所述粘附柱120与所述基板主体11沿所述第一方向y滑动连接。如图3a所示。
54.步骤s200:在所述转移载板20靠近所述转移基板10的一侧形成多个待转移的芯片30,沿第二方向x,待转移的所述芯片30的宽度大于所述通孔110的直径,其中,所述第一方向y为垂直于所述转移载板20的方向,所述第二方向x与所述第一方向y垂直,如图3b所示。
55.步骤s300:将所述转移基板10与所述转移载板20进行对位,所述粘附柱120与待转移的所述芯片30一一对应,通过所述粘附柱120与所述基板主体11滑动连接,使待转移的所述芯片30拾取至所述转移基板10上,如图3c所示。
56.具体地,在本实施例中,所述步骤s300包括以下步骤:
57.步骤s301:将所述粘附柱120朝着靠近所述转移载板20的方向滑动,其中,所述粘附柱120包括沿远离所述转移载板20方向依次设置的粘附层121和粘附柱主体122,其中,所述粘附层121的材料为粘性材料,所述粘附层121的一端与所述粘附柱主体122粘接。
58.步骤s302:将所述粘附柱120穿过所述通孔110与待转移的所述芯片30相接触,所述粘附层121的另一端与待转移的所述芯片30粘接,以使待转移的所述芯片30粘附至所述粘附柱120上,其中,在所述第二方向x上,所述粘附柱120的横截面积小于待转移的所述芯片30的横截面积,优选地,述粘附柱120的横截面积为待转移的所述芯片30的横截面积的70%~80%。
59.步骤s400:将所述转移基板10与接收基板40进行对位,将待转移的所述芯片30转移至所述接收基板40上。
60.具体地,所述步骤s400包括以下步骤:
61.步骤s401:将所述粘附柱120朝着远离所述接收基板40的方向移动,如图3d所示。
62.步骤s402:利用所述通孔110将粘附在所述粘附柱120上的待转移的所述芯片30剥离,使待转移的所述芯片30转移至所述接收基板40上,其中,所述粘附柱主体122和所述粘附层121之间的结合力大于所述粘附层121与待转移的所述芯片30之间的结合力,从而确保对待转移的所述芯片30进行转移时,可以利用所述通孔110将待转移的所述芯片30进行剥
离时,使待转移的所述芯片30转移至所述接收基板上,如图3e所示。
63.需要说明的是,在本实施例中,所述转移方法还包括步骤s500:将所述转移基板10剥离。
64.可以理解的是,相对于现有技术中,采用磁力吸附或静电吸附的方法来吸附待转移的所述芯片30,其转移原理为对由硅材料制成的头部分施加电压,由此通过静电现象与待转移的所述芯片30产生密接力,然而,在现有的方法中,在静电感应时会因施加在转移头部的电压而产生因静电现象引起的芯片30损伤的问题,且工艺复杂,不利于快速制备器件,本技术实施例通过利用所述转移头主体12通过所述粘附柱120与所述基板主体11沿所述第一方向y滑动连接,从而对待转移的所述芯片30进行转移,其转移过程简单,转移成本也较低;同时,利用所述通孔110将粘附在所述粘附柱120上的待转移的所述芯片30剥离,使待转移的所述芯片30转移至所述接收基板上,从而避免对待转移的所述芯片30造成损伤。
65.综上所述,本技术提供一种转移装置及转移方法,所述转移装置包括转移基板和与所述转移基板相对设置的转移载板,所述转移基板包括基板主体和转移头主体,所述基板主体包括多个通孔,所述通孔沿第一方向贯穿所述基板主体,所述第一方向为垂直于所述转移载板的方向;所述转移头主体包括多个粘附柱,一所述通孔内设有一所述粘附柱,所述转移头主体通过所述粘附柱与所述基板主体沿所述第一方向滑动连接;其中,所述转移载板用于承载多个与所述粘附柱一一对应的待转移的芯片,在第二方向上,待转移的所述芯片的宽度大于所述通孔的直径,所述第二方向与所述第一方向垂直;本技术利用所述粘附柱与所述通孔的相对滑动,从而对待转移的所述芯片进行转移,且只需利用通孔就能将粘附在粘附柱上的待转移的所述芯片剥离,使其落在接收基板上,因此转移过程简单,转移成本也较低。
66.在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其他实施例的相关描述。
67.以上对本技术实施例所提供的一种转移装置及转移方法进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想;同时,对于本领域的技术人员,依据本技术的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本技术的限制。

技术特征:
1.一种转移装置,其特征在于,包括转移基板和与所述转移基板相对设置的转移载板,所述转移基板包括:基板主体,所述基板主体包括多个通孔,所述通孔沿第一方向贯穿所述基板主体,所述第一方向为垂直于所述转移载板的方向;转移头主体,所述转移头主体包括多个粘附柱,一所述通孔内设有一所述粘附柱,所述转移头主体通过所述粘附柱与所述基板主体沿所述第一方向滑动连接;其中,所述转移载板用于承载多个与所述粘附柱一一对应的待转移的芯片,在第二方向上,待转移的所述芯片的宽度大于所述通孔的直径,所述第二方向与所述第一方向垂直。2.根据权利要求1所述的转移装置,其特征在于,所述粘附柱包括沿远离所述转移载板方向依次布置的粘附层和粘附柱主体,其中,所述粘附层的材料为粘性材料。3.根据权利要求2所述的转移装置,其特征在于,沿所述第一方向,所述粘附层的宽度小于或等于所述通孔的直径。4.根据权利要求2所述的转移装置,其特征在于,沿所述第一方向,所述粘附柱主体的长度大于所述通孔的深度。5.根据权利要求1所述的转移装置,其特征在于,在所述第二方向上,所述粘附柱的横截面积小于待转移的所述芯片的横截面积。6.根据权利要求5所述的转移装置,其特征在于,所述粘附柱的横截面积为待转移的所述芯片的横截面积的70%~80%。7.一种转移方法,其特征在于,包括以下步骤:提供一转移装置,所述转移装置包括转移基板和与所述转移基板相对设置的转移载板,所述基板主体包括多个通孔,所述通孔沿第一方向贯穿所述基板主体,所述第一方向为垂直于所述转移载板的方向,所述转移头主体包括多个粘附柱,一所述通孔内设有一所述粘附柱;在所述转移载板靠近所述转移基板的一侧形成多个待转移的芯片,沿第二方向,待转移的所述芯片的宽度大于所述通孔的直径,所述第二方向与所述第一方向垂直;将所述转移基板与所述转移载板进行对位,所述粘附柱与待转移的所述芯片一一对应,通过所述粘附柱与所述基板主体滑动连接,使待转移的所述芯片拾取至所述转移基板上;将所述转移基板与接收基板进行对位,将待转移的所述芯片转移至所述接收基板上。8.根据权利要求7所述的转移方法,其特征在于,所述将所述转移基板与所述转移载板进行对位,所述粘附柱与待转移的所述芯片一一对应,通过所述粘附柱与所述基板主体滑动连接,使待转移的所述芯片拾取至所述转移基板上的步骤中,还包括以下步骤:将所述粘附柱朝着靠近所述转移载板的方向滑动;将所述粘附柱穿过所述通孔与待转移的所述芯片相接触,以使待转移的所述芯片粘附至所述粘附柱上。9.根据权利要求8所述的转移方法,其特征在于,所述将所述转移基板与接收基板进行对位,将待转移的所述芯片转移至所述接收基板上的步骤中,还包括以下步骤:将所述粘附柱朝着远离所述接收基板的方向移动;利用所述通孔将粘附在所述粘附柱上的待转移的所述芯片剥离,使待转移的所述芯片
转移至所述接收基板上。10.根据权利要求7所述的转移方法,其特征在于,所述粘附柱包括沿远离所述转移载板方向依次布置的粘附层和粘附柱主体,所述粘附层的材料为粘性材料,所述粘附柱主体的材料为刚性材料,其中,所述粘附层与所述粘附柱主体的结合力大于所述粘附层与待转移的所述芯片的结合力。

技术总结
本申请提供一种转移装置及转移方法,该转移装置包括转移基板和与转移基板相对设置的转移载板,转移基板包括基板主体和转移头主体,基板主体包括多个通孔,通孔沿第一方向贯穿基板主体,转移头主体包括多个粘附柱,一通孔内设有一粘附柱,转移头主体通过粘附柱与基板主体沿第一方向滑动连接;其中,转移载板用于承载多个与粘附柱一一对应的待转移的芯片,在第二方向上,待转移的芯片的宽度大于通孔的直径,本申请利用粘附柱与通孔的相对滑动,从而对待转移的芯片进行转移,且利用通孔将粘附在粘附柱上的待转移的芯片剥离,使其落在接收基板上。基板上。基板上。


技术研发人员:刘忠鹏
受保护的技术使用者:TCL华星光电技术有限公司
技术研发日:2022.03.21
技术公布日:2022/7/5
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